Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
20 Янв
FCP22N60N, будучи ориентированным на применение в источниках питания, обладает малым значением RDS(ON) (165 мОм) и очень малым зарядом затвора (14.5 нКл).
MOSFET-транзистор доступен в стандартном и изолированном корпусах TO220. Значение dv/dt транзистора составляет 100 В/нс, а встроенного диода — 20 В/нс. Указанные рабочие характеристики особенно важны в таких применениях как каскады коррекции коэффициента мощности и резонансные преобразователи.
Отличительные особенности
Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на FCP22N60N (англ.)
Подпишись на новости! |