Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
27 Сен
Новые интегрированные силовые IGBT-транзисторы компании Toshiba Electronics с высокой скоростью переключения позволяют упростить разработку и уменьшить число компонентов в бытовой кухонной технике и других устройствах индукционного нагрева.
GT40QR21 оптимизированы для применения в резонансных инверторах сетевого напряжения, и представляют собой интегрированные в одном компактном корпусе силовой N-канальный IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В, производимый по запатентованной технологии Enhancement-Mode-Technology компании Toshiba, и шунтирующий безынерционный обратный диод.
Обладая предельно допустимым током коллектора 40 А при температуре 25ºС и 35 A при температуре 100°C, устройство допускает эксплуатацию в расширенным температурном диапазоне до 175ºC. GT40QR21 отличается очень высокой скоростью переключения — характерное время спада тока и время выключения при токе коллектора 40 A составляет 0.2 мкс и 0.4 мкс соответственно, кроме того, типовое время обратного восстановления шунтирующего диода составляет 0.6 мкс при токе диода 15 A. Типовое значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер составляет всего 1.9 В при токе коллектора 40 A. Устройство доступно в корпусах TO-3P(N) (по размерам аналогичных корпусам TO247) размером 15.5 мм х 20.0 мм х 4.5 мм, имеющих тепловое сопротивление переход-корпус не более 0.65ºС/Вт.
Архитектура GT40QR21 |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на GT40QR21 (англ.)
Подпишись на новости! |