Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
11 Сен
Новые силовые MOSFET-транзисторы от компании Infineon с напряжением сток-исток 800 В, выполенные по технологии CoolMOS™ CE, специалльно разработаны для систем твердотельного освещения.
Благодаря низкому сопротивлению открытого канала RDS(ON) транзисторы обеспечивают меньшие потери на проводимость и переключение, что позволяет повысить эффективность, уменьшить размеры, увеличить яркость и снизить тепловыделение системы светодиодного освещения. Выполненные на основе революционного техпроцесса Суперперехода (Superjunction), новые быстродействующие 800-вольтовые MOSFET-транзисторы серии CoolMOS™ CE компании Infineon отличаются превосходным соотношением цена/производительность и легкостью применения, обеспечивая конкурентное преимущество на быстрорастущем рынке светодиодных приборов освещения.
Область применения:
Преимущества:
RDS(ON) [мОм] | DPAK (TO-252) | IPAK (TO-251) |
---|---|---|
2800 | IPD80R2K8CE | IPU80R2K8CE |
1400 | IPD80R1K4CE | IPU80R1K4CE |
1000 | IPD80R1K0CE | IPU80R1K0CE |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Каталог MOSFET-транзисторов CoolMOS™ компании Infineon (англ.)
Подпишись на новости! |