STMicroelectronics: SCT10N120 — силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А и сопротивлением открытого канала 520 мОм
Автор: admin
20
Ноя
Данный транзистор произведен с использованием улучшенных инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной. Он характеризуется непревзойденным значением сопротивления открытого канала и великолепными параметрами переключения, практически независимыми от температуры.
Выдающиеся тепловые свойства карбида кремния и фирменный корпус HiP247™ позволяют создавать продукты промышленного стандарта с улучшенными тепловыми параметрами. Благодаря этому SCT10N120 идеально подходит для применения в приложениях с высокими КПД и плотностью мощности.
|
Силовой MOSFET-транзистор SCT10N120 |
Отличительные особенности:
- Максимальное напряжение сток-исток VDSS: 1200 В
- Максимальный постоянный ток стока ID: 10 А (при температура корпуса TC +100°C); 12 А (при температура корпуса TC +25°C)
- Напряжение затвор-исток VGS: от -10 В до 25 В
- Сопротивление открытого канала RDS(ON): 520 мОм (тип.) при температуре перехода TJ = 100°C
- Заряд затвора QG: 22 нКл (тип.)
- Малое изменение сопротивления открытого канала RDS(ON) от температуры
- Слабая зависимость потерь переключения от температуры
- Сверхбыстродействующий и надежный внутренний диод на подложке
- Низкая емкость
- Чрезвычайно широкий рабочий диапазон температур перехода TJ: от -55°C до +200°C
- Корпус HiP247™
Область применения:
- Инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания
- Схемы управления электродвигателями
- Высоковольтные преобразователи постоянного напряжения
- Импульсные источники питания
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SCT10N120 (англ.)