Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
19 Июн
Новое семейство дискретных IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 6 разработано в строгом соответствии с особыми требованиями рынка к системам управления электроприводами, такими как увеличенный срок службы, повышенная надежность и высокая эффективность.
IKA08N65ET6, IKA10N65ET6, IKA15N65ET6 оптимизированы с целью минимизации потерь на переключение, что достигнуто включением в их конструкцию быстродействующего встречно-параллельного диода с чрезвычайно плавной характеристикой и малым временем обратного восстановления. Наличие таких диодов особенно важно для систем, работающих в режиме высокочастотной коммутации, вплоть до 30 кГц. Благодаря более высокому допустимому напряжению коллектор-эмиттер – 650 В и повышенной устойчивости к току короткого замыкания, новые транзисторы TRENCHSTOP™ IGBT6 являются ключевым элементом для построения надежных систем управления электродвигателями.
Сравнительные характеристики транзисторов TRENCHSTOP™ IGBT6 с устройствами предыдущего поколения |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на IKA08N65ET6 (англ.)
Документация на IKA10N65ET6 (англ.)
Документация на IKA15N65ET6 (англ.)
Подпишись на новости! |