По-настоящему автомобильный силовой корпус с посадочным местом SO8

Компания NXP предлагает автомобильные MOSFET-транзисторы в инновационном корпусе LFPAK. Его уникальная конструкция позволила получить надежный корпус с посадочным местом SO8, который обладает высокой тепловой эффективности и соответствует стандарту AEC Q101. В настоящее время доступны транзисторы с 30 различными значениями R_DS(ON) на напряжения от 30 до 100 Вольт.

MOSFET-транзисторы компании NXP, размещенные в корпусе LFPAK с улучшенными теплорассеивающими свойствами, оптимизированы для использования в автомобильной электронике с высокой плотностью мощности. Корпус LFPAK отличается уникальным сочетанием очень малого сопротивления корпуса, высокой надежности и отличных тепловых характеристик. При этом, корпус является еще и миниатюрным. Это означает, что его можно установить в любой части автомобиля, где это максимально необходимо.

Читать далее »

Новые транзисторы OptiMOS-T2 являются эталонными для применений, где необходимо энергосбережение, снижение выбросов CO2, используются электроприводы и др.

Транзисторы OptiMOS-T2 доступны в исполнениях на напряжения 30, 40 и 60В и являются расширением для существующих семейств OptiMOS-T и OptiMOS.

Читать далее »

Компания Fairchild предлагает новое семейство 30-вольтовых MOSFET-транзисторов с наименьшим сопротивлением R_DS(ON) для улучшения КПД каскадов преобразования постоянного напряжения. FDMS7650 в корпусе Power56 стал первым транзистором, который преодолел барьер в 1 мОм. Его максимальное значение R_DS(ON) составляет всего лишь 0.99 мОм, что способствует снижению потерь коммутации и улучшению общей эффективности.

FDMS7650, благодаря выполнению по улучшенной технологии PowerTrench®, способен добиться рекордно-низких значений R_DS(ON). Данная технология, помимо малых значений R_DS(ON), также обеспечивает пониженные значения общего заряда затвора (Q_G) и заряда емкости Миллера (Q_GD). Совместно данные улучшения позволят улучшить КПД силового каскада за счет минимизации потерь проводимости и коммутации.

Читать далее »

Новые 500-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы компании Vishay-Siliconix характеризуются сопротивлением открытого канала 0.270 Ом и доступностью в корпусах TO-220, TO-220F и TO-247. Они могут служить более энергоэффективной заменой аналогичным транзисторам в разнообразных электронных системах.

Три новых транзистора компании Vishay в корпусах TO-220 (SiHP18N50C), TO-220F FULLPAK (SiHF18N50C) и TO-247 (SiHG20N50C) выполнены по n-канальной планарной полевой технологии поколения 6.2. Они отличаются малым сопротивлением открытого канала, что позволяет снизить потери проводимости и улучшить энергоэффективность во многих электронных системах. По сравнению с силовыми 500-вольтовыми MOSFET-транзисторами предыдущего поколения, новые транзисторы характеризуются улучшенными характеристиками крутизны и обратного восстановления.

Читать далее »

Транзисторы Toshiba выполнены по новой технологии DTMOS II и охватывают диапазон токов 12, 15 и 20 Ампер. Они характеризуются лучшими в своем классе характеристиками заряда затвора и сопротивления открытого канала, способствующие повышению эффективности процесса коммутации. Структура Super Junction дополнительно способствует улучшению робастности и стойкости к перенапряжениям. По сравнению с обычными MOSFET-транзисторами, данные транзисторы предлагают на 68 процентов меньшее произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала.

Транзисторы выполнены по инновационной технологии корпусирования, за основу которой взят изолированный корпус TO-220. Проволочные соединители в нём заменены на формованные медные соединители. В отличие от проволочного соединения, так называемая технология WARP обеспечивает двухкратное увеличение тока перегорания соединителя, снижение его сопротивления и улучшение тепловых характеристик не в ущерб стоимости.

Читать далее »

MDmesh V – инновационная 650-вольтовая технология, которая позволяет снизить потери в применениях, где требуется улучшение энергоэффективности. С её помощью разработчики получают возможность создания продукции, экономичность которой достигается за счет применения транзисторов с наименьшим отношением сопротивления открытого канала к размеру кристалла по сравнению с представленными в настоящее время на рынке аналогичными (т.е. такого же класса напряжения) силовыми MOSFET-транзисторами. Данная технология является наиболее эффективной на рынке. Она позволяет сэкономить энергию, которая обычно теряется в каскадах источников питания компьютеров, телевизоров, бытовой техники и другой похожей продукции. К числу других возможных сфер применения относятся возобновляемые источники энергии. Здесь появляется возможность сэкономить часть жизненно-важных ватт мощности, которые обычно теряются в силовых модулях преобразования напряжения, например, солнечных элементов.

Читать далее »

Данный n-канальный силовой MOSFET-транзистор характеризуется напряжением пробоя 600В и сопротивлением открытого канала 0.65 Ом. Малое значение R_DS(ON) и высокое быстродействие коммутации способствуют улучшению КПД.

Преимущества

• Повышает КПД
• Более быстрое включение
• RoHS-совместимость
• Надежная работа

Читать далее »

Новые 6000-вольтовые транзисторы CoolMOS^TM C6 обладают всеми преимуществами быстроты коммутации MOSFET-транзисторов типа Super-Junction и, при этом, на настоящий момент предлагают лучшее отношение цена/качество на рынке. Более того, транзисторы C6 отличаются чрезвычайно малыми потерями проводимости и коммутации, что способствует повышению эффективности, улучшению тепловых режимов, уменьшению размеров и снижению массы.

Транзисторы CoolMOS^TM C6 просты в применении. Они прекрасно подходят для использования в разнообразных каскадах преобразования энергии, в т.ч. каскады коррекции коэффициента мощности и широтно-импульсной модуляции. В семейство CoolMOS^TM C6 входят современные транзисторы типа Super-Junction с множеством преимуществ, в т.ч. очень малые потери на емкостях и очень низкие значения R_DS(ON), что способствует повышению эффективности, снижению габаритов и массы, а также улучшению тепловых режимов. В тоже время, существенно улучшены управление процессом коммутации и стойкость к паразитным индуктивностям и емкостям на плате.

Читать далее »

SupreMOS — новое семейство MOSFET-транзисторов типа Super-Junction

MOSFET-транзисторы типа Super-Junction позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства — FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр R_DS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N — 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной стойкостью к dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Читать далее »

ADS1115 — самый миниатюрный в промышленности 16-битный АЦП, доступный в корпусе QFN с размерами всего лишь 2.0мм x 1.5мм x 0.4мм. При разработке АЦП учитывалось обеспечение высокой точности, малого энергопотребления и простоты применения. АЦП ADS1115 предусматривают программирование частоты преобразования до 860 Гц. Потребляемый, при этом, ток составляет всего лишь 150 мкА (типовое значение), а напряжение питания допускает снижение до 2.0 В. В состав семейства также входят 12-битные АЦП, что повышает гибкость применения.

ADS1115 оснащены источником опорного напряжения и генератором. Данные передаются через I2C-совместимый последовательный интерфейс с возможностями выбора четырех подчиненных адресов шины I²C. ADS1115 предназначены для работы от одного источника питания напряжением 2.0…5.5 В. Входной диапазон встроенного программируемого усилителя отличается от уровней питания всего лишь на 256 мВ, что делает возможным измерение как больших, так и малых сигналов с высокой разрешающей способностью. Встроенный в ADS1115 мультиплексор позволяет измерять два дифференциальных или четыре несимметричных сигнала.

Читать далее »