Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
20 Ноя
Синхронный понижающий преобразователь напряжения TPS62480 предназначен для низкопрофильных источников питания типа Point-Of-Load.
Диапазон входного напряжения устройства составляет от 2.4 В до 5.5 В и позволяет применять его в системах со стандартными шинами питания напряжением 3.3 В и 5 В и схемах резервного питания с напряжением вплоть до 2.4 В. Максимальный ток нагрузки 6 А обеспечивается двумя фазами питания по 3 А каждая, что дает возможность использовать низкопрофильные внешние компоненты. Обе фазы устройства не синхронны, благодаря чему значительно снижаются пульсации выходного тока.
20 Ноя
Индуктивный переключатель ближнего радиуса действия LDC0851 идеально подходит для широкого спектра высоконадежных приложений бесконтактного взаимодействия, таких как детекторы присутствия, счетчики событий и кнопки.
Устройство переключается при приближении проводящего объекта на достаточно близкое расстояние от чувствительной катушки. Наличие гистерезиса обеспечивает надежное переключение прибора, исключая ложное срабатывание, связанное с механической вибрацией. Дифференциальный входной каскад предотвращает ошибочное переключение под влиянием различных факторов окружающей среды – изменения температуры или влажности.
Благодаря полосковой геометрии и улучшенной вертикальной структуре, STF25N60M2-EP демонстрирует низкое значение сопротивления открытого канала и оптимальные характеристики переключения с малыми потерями. Это позволяет применять транзистор в большинстве высокочастотных преобразователей напряжения.
20 Ноя
Данный транзистор произведен с использованием улучшенных инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной. Он характеризуется непревзойденным значением сопротивления открытого канала и великолепными параметрами переключения, практически независимыми от температуры.
Выдающиеся тепловые свойства карбида кремния и фирменный корпус HiP247™ позволяют создавать продукты промышленного стандарта с улучшенными тепловыми параметрами. Благодаря этому SCT10N120 идеально подходит для применения в приложениях с высокими КПД и плотностью мощности.
20 Ноя
Освещение должно быть надежным!
Новые яркие и сверхъяркие светодиоды высокой мощности компании OSRAM Opto Semiconductors предоставляют универсальные возможности для создания высококачественных и недорогих систем наружного освещения.
До настоящего времени в профессиональных системах наружного освещения применялись в основном дорогие светодиоды в керамических корпусах. Новое семейство приборов DURIS® P от компании OSRAM Opto Semiconductors, выпускаемых в эпоксидных корпусах, характеризуется повышенной светоотдачей при сниженной цене. Кроме того, светодиоды DURIS® P демонстрируют высокую надежность и производительность.
20 Ноя
Модули представляют собой полностью интегрированный инверторный силовой каскад, включающий высоковольтный драйвер, шесть IGBT-транзисторов и термистор, позволяющий управлять синхронными двигателями на постоянных магнитах (PMSM), бесколлекторными двигателями постоянного тока (BLDC) и асинхронными двигателями переменного тока.
IGBT-транзисторы сконфигурированы в виде 3-фазного моста с независимым подключением каждого эмиттера, обеспечивающим максимальную гибкость выбора управляющего алгоритма. Силовой каскад обеспечен полным набором функций защиты, включающим схему защиты от перекрестной проводимости, внешний сигнал выключения и схему блокировки при недопустимом снижении входного напряжения. Встроенный компаратор и источник опорного напряжения подключены к внутренней схеме защиты от перегрузки по току, позволяя разработчику установить требуемый уровень ограничения выходного тока.
20 Ноя
i.MX 6UltraLite — это серия высокопроизводительных, высокоэффективных прикладных процессоров, выполненных на базе одного ядра ARM® Cortex®-A7 с рабочей частотой до 528 МГц.
Процессор i.MX 6UL интегрирует систему управления питанием, снижающую сложность внешнего источника питания и упрощающую последовательность подачи напряжений питания. Каждый представитель серии поддерживает множество интерфейсов памяти, включая LPDDR2, DDR3, DDR3L, «сырой» и управляемой NAND FLASH, NOR FLASH, eMMC и Quad SPI, а также ряд коммуникационных интерфейсов для подключения различных периферийных устройств, таких как Wi-FI, Bluetooth™ и GPS модули, графические дисплеи и датчики изображения.
20 Ноя
Коммерческие мультикоптеры прошли долгий путь в своем развитии — от дорогих игрушек до современных, высокотехнологичных беспилотных летательных аппаратов с программным управлением, находящим самое широкое применения в киноиндустрии, картографии, системах видеонаблюдении и безопасности. Это бросает новые вызовы и открывает новые возможности производителям БПЛА.
Компания Infineon предлагает готовое к использованию решение мультикоптера сегодняшнему быстрорастущему рынку. В качестве ведущего поставщика полупроводников, Infineon предлагает полностью завершенное системное решение, включающее каждый критически важный узел беспилотника — от силовой электроники до контроллеров, элементов безопасности и аутентификации, полного набора датчиков и т.д.
24-вольтовые защищенные силовые ключи BTT6xxx семейства PROFET™+ компании Infineon способны управлять резистивной, емкостной и индуктивной нагрузками, такими как автомобильные фары, клапаны, двигатели, реле, конденсаторы и светодиоды. Совместимая с платформой Arduino демонстрационная плата позволяет быстро и недорого реализовать прототип конечного решения и ознакомиться с функциональными возможностями полностью совместимых по назначению выводов устройств семейства PROFET™+.
Плата оснащена тремя интеллектуальными, защищенными силовыми MOSFET-ключами верхнего плеча семейства 24-вольтовых устройств PROFET™+ (PROtected MOSFET) — двумя BTT6030-2EKA и одним BTT6020-1EKA. Она может работать как с материнской платой Arduino (Arduino Uno, Arduino Due), так и с оценочными платами на основе ARM-микроконтроллеров семейства XMC™ компании Infineon, поддерживающими форм-фактор Arduino.
20 Ноя
Преимуществом данного транзистора являются низкие потери проводимости и переключения, гарантирующие высокий КПД целевых приложений. FGY120T65S характеризуется высокой устойчивостью к переходным процессам и низким уровнем электромагнитных помех. При параллельном включении нескольких устройств обеспечивается равномерное распределение тока между всеми транзисторами.
![]() |
Подпишись на новости! |