Новое в мире полупроводников

Читаем, обсуждаем, задаем вопросы

Компания Toshiba Electronics Europe расширила свое семейство IGBT-транзисторов для индукционных печей и других приложений силовых инверторов двумя новыми устройствами GT50JR21 и GT50JR22, рассчитанными на рабочее напряжение до 600 В и ток до 50 А и интегрирующими в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод.

Устройства оптимизированы для применения в индукционных печах и доступны в корпусах TO-3P(N), по размерам аналогичных корпусам TO-247. Данное семейство IGBT-транзисторов отличается высокой допустимой температурой перехода: до 175°C. Значение максимально допустимого постоянного тока устройств 50 А, типовое значение напряжения насыщения при токе 50 А составляет 1.5 В для GT50JR21 и 1.65 В для GT50JR22.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Масштабируемое семейство ARM-микроконтроллеров с низковольтным питанием компании Toshiba пополнилось устройством начального уровня TMPA913CHXBG. Новый микроконтроллер представляет собой экономически эффективное и не нуждающееся в большом количестве дополнительных компонентов решение для промышленных приложений, требующих высокоскоростного USB-соединения и возможности управления внешней памятью.

Базируясь на стандартном ядре ARM9 с частотой 150 МГц, контроллер обладает аппаратной и программной совместимостью с другими членами семейства. Данный подход позволяет защитить вложения в разработку конечных приложений, обеспечивая их модернизацию с минимальными изменениями дизайна системы. Интегрированный контроллер памяти устройства поддерживает модули SDR и DDR SDRAM и обеспечивает адресацию до 2.5 ГБайт линейного адресного пространства.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Эти сверхкомпактные, с расширенным температурным диапазоном, оптроны обеспечивают уровень изоляции, отвечающий международным требованиям безопасности, и экономят площадь печатной платы в системах робототехники, конвейерах и других промышленных приложениях управления питанием и электродвигателями.

Новый оптрон TLP104 доступен в компактном 6-выводном корпусе SO для поверхностного монтажа и отличается минимальным уровнем напряжения изоляции 3750 В. Наряду с рабочим диапазоном температур, равным -40…+125°C, сочетание компактных размеров и уровня изоляции позволяет пользователю минимизировать расстояние, необходимое для гальванической развязки интерфейсов между высоковольтной и логической схемами в различных промышленных системах управление электродвигателями и преобразователях мощности.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Новый оптрон TLP700 компании Toshiba характеризуется теми же показателями мощности и изоляционных свойств, что и предыдущие модели в DIP корпусах, однако отличается от них гораздо меньшими габаритами.

Изоляция оптрона испытана напряжением 5000 вольт (согласно требованиям UL1577), ослабление синфазного сигнала составляет не менее 10 кВ/мкс. Диапазон рабочего напряжения питания от 15 до 30 В при токе потребления не более 2 мА, что свидетельствует о высокой экономичности устройства. Обеспечиваемый оптроном максимальный выходной ток до 2 А позволяет применять TLP700 в промышленных и бытовых приложениях, включая промышленные инверторы, мощные драйверы MOSFET и IGBT. Задержка переключения устройства не превышает 500 нс.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Представленные компанией Toshiba новые миниатюрные оптроны позволяют облегчить разработчикам проектирование приложений, содержащих MOSFET и IGBT транзисторы, таких как высокочастотные инверторы, индукционные печи и другие системы, требующие изоляции электрических цепей и обеспечения безопасности работы при высоких температурах окружающей среды.

Работа устройств гарантируется в диапазоне температур от -40 до +125ºC. TLP2451 поставляются в миниатюрном корпусе SO8 размером 3.95 х 5.1 х 2.5 мм. Изоляция оптрона испытана в соответствии с требованиями UL1577 напряжением 3750 в течение 1 мин. Двухтактный выходной буферный каскад устройства обеспечивает пиковое значение тока до ±0.6 A.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Семейство мощных MOSFET-транзисторов с вертикальными затворами для использования в автомобильных приложениях сочетает преимущества новейшего trench-MOS технологического процесса компании Toshiba с расширенными корпусами DPAK+. Устройства позволяют значительно повысить производительность при одновременном уменьшении размеров печатных плат и снижении уровня шумов в таких автомобильных приложениях, как импульсные стабилизаторы и преобразователи постоянного напряжения, системы управления электроприводами.

В состав семейства включены одиннадцать n – канальных транзисторов с предельно допустимыми рабочими напряжениями 40 В, 60 В и 100 В, а также десять р — канальных устройств с предельно допустимыми рабочими напряжениями -40 В и -60 В. Допустимые токи составляют от ± 8 А до ± 80 А в зависимости от конкретной модели.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Поддерживают работу в режиме непрерывной проводимости (CCM) и режиме критической проводимости (CRM)

Эти две высокоинтегрированные микросхемы управления значительно упрощают выполнение задач коррекции коэффициента мощности, необходимых для снижения уровня гармонических искажений токов питания в устройствах, работающих от переменного напряжения.

TB6818FG — интегральная схема коррекции коэффициента мощности (PFC) с режимом непрерывной проводимости (CCM)для применения в таких приложениях, как высокотехнологичные зарядные устройства и источники питания для больших ЖК и плазменных телевизоров с мощностью потребления свыше 200 Вт. Ориентированная на маломощные, до 200-ваттные приложения, TB6819FG с режимом критической проводимости (CRM) идеально подходит для сетевых адаптеров и систем твердотельного освещения.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Работает в диапазоне напряжений 80…270 В переменного тока

Новый драйвер интегрирует контроллер постоянного тока и понижающий AC/DC конвертер. Частота коммутации понижающего контроллера автоматически регулируется в зависимости от величины падения напряжения на светодиоде. Устройство поддерживает функции как линейного диммирования, при котором сила тока светодиода регулируется входным переменным напряжением, так и ШИМ диммирования.

Помимо этого, встроенные функции защиты включают схему отключения по температуре, защиты от перегрузки по току и напряжению, блокировки при недопустимом снижении напряжения, схему определения замыкания/размыкания токочувствительного входа.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Эти сверхкомпактные, высокоскоростные инвертирующие оптроны отличаются расширенным рабочим диапазоном температур и усиленной изоляцией, отвечающей нормам международных стандартов безопасности.

TLP708 идеально подходит для применения в бытовой электронике, оборудовании индукционного нагрева, промышленной автоматике и других приложениях, где необходимы высокий уровень изоляции и надежная работа в условиях экстремальных температур. Рабочие характеристики оптронов гарантированы в диапазоне температур -40…+125°C.

Схема устройства состоит из GaAlAs светодиода, оптически связанного с интегрированным, высокоскоростным фотодетектором с высоким коэффициентом усиления. TLP708 поставляется в 6-выводном корпусе SDIP (усеченный DIP), занимающим всего половину посадочного места по сравнению с аналогичными устройствами в 8-выводных DIP корпусах. Несмотря на свои малые размеры, оптрон поддерживает напряжение изоляции не менее 5000 В.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Новые высокоскоростные, малопотребляющие, цифровые оптроны поддерживают широкий диапазон напряжения питания и обеспечивают надежную работу при температурах -40…+100 °C.

Рассчитанные на работу при напряжении питания от 3.0 В до 20 В, TLP2095 и TLP2098 оснащены буферным и инвертирующим двухтактным выходным каскадом, соответственно. Максимальное время коммутации не превышает 250 нс, а рабочие характеристики гарантированы в диапазоне температур -40…+100 °C. Минимальное напряжение изоляции обоих устройств составляет 3750 В, а интегрированный щит Фарадея обеспечивает подавление синфазных сигналов ±15 кВ/мкс.

Новые оптроны поставляются в компактном 5-выводном корпусе MFSOP, размером всего 4.4 х 3.6 х 2.5 мм. Внутри корпуса размещены два GaAlAs инфракрасных светодиода, оптически связанных с высокоскоростной схемой фотодетектора с высоким коэффициентом усиления. Максимальный пороговый входной ток, составляющий ±3 мА, и максимальный рабочий ток 3 мА позволяют успешно применять оптроны в приложениях, где необходим минимальный уровень энергопотребления.


Читать далее »

  • Комментарии отключены
  • Рубрика: Toshiba

Подпишись на новости!


Рубрики

Метки

Архивы