Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Freescale Semiconductor: Kinetis KW40Z — микроконтроллеры беспроводной связи стандартов Bluetooth Low Energy и IEEE® 802.15.4
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Freescale Semiconductor: Kinetis KW40Z — микроконтроллеры беспроводной связи стандартов Bluetooth Low Energy и IEEE® 802.15.4

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Однокристальный микроконтроллер с высокой степенью интеграции KW40Z, поддерживающий стандарты беспроводной связи Bluetooth® Smart/Bluetooth® Low Energy (BLE) v4.1 и IEEE® 802.15.4-2011, обеспечивает радиочастотное соединение для портативных и встраиваемых систем с очень низким энергопотреблением.

Микроконтроллер Kinetis KW40Z интегрирует приемопередатчик с несущей частотой 2.4 ГГц, поддерживающий различные виды модуляции – частотную манипуляцию FSK/GFSK и квадратурную модуляцию со сдвигом O-QPSK, процессорное ядро ARM® Cortex®-M0+, FLASH-память программ объемом 160 КБ и SRAM-память данных объемом 20 КБ, аппаратный связывающий слой BLE, процессор пакетного протокола 802.15.4, аппаратные блоки безопасности и периферийные устройства, оптимизированные под требования целевых приложений.

Системная память микроконтроллера KW40Z способна обеспечить полнофункциональную одновременную работу стека Bluetooth Low Energy и контроллера доступа к среде с физическим уровнем (MAC/PHY) IEEE 8021.5.4 для многорежимных приложений.

Внутренняя архитектура микроконтроллеров Kinetis KW40Z

Отличительные особенности:

  • Многопротокольный радиочастотный приемопередатчик:
    • Соответствие стандарту Bluetooth Low Energy версии 4.1 с несущей частотой 2.4 ГГц
    • Соответствие стандарту IEEE 802.15.4-2011
    • Типовое значение чувствительности приемника BLE: -91 дБм
    • Типовое значение чувствительности приемника IEEE 802.15.4: -102 дБм
    • Установка выходной мощности передатчика: от -20 дБм до +5 дБм
  • Процессорное ядро и системная память:
    • Ядро ARM® Cortex®-M0+ с рабочей частотой до 48 МГц
    • Встроенная FLASH память программ: 160 КБ
    • Встроенная SRAM память данных: 20 КБ
  • Потребляемая мощность и диапазон рабочих напряжений:
    • Девять режимов пониженного энергопотребления обеспечивают оптимальное использование мощности в соответствии с требованиями пользовательского приложения
    • Типовое значение тока потребления в режимах приема/передачи данных (DC/DC преобразователь включен): 6.5 мА / 8.4 мА (Rx/Tx)
    • Диапазон напряжения питания: от 1.45 В до 3.6 В
    • Выходное напряжение повышающего преобразователя: от 2.1 В до 4.2 В
    • Выходное напряжение понижающего преобразователя: от 0.9 В до 1.795 В
  • Аналоговые периферийные модули:
    • 16-битный АЦП с частотой дискретизации 500 KSPS (тыс. выборок в сек.)
    • 12-битный ЦАП с временем преобразования 1 мкс
    • 6-разрядный быстродействующий аналоговый компаратор
  • Функции безопасности:
    • Аппаратный ускоритель шифрования по алгоритму AES-128 (AESA), генератор действительно случайных чисел (TRNG)
  • Поддержка программного обеспечения:
    • Базовый стек протокола BLE и профили, потоки, ZigBee Pro, протоколы доступа к среде 802.15.4 MAC и SMAC
    • Набор разработки программного обеспечения Kinetis (SDK)
    • Несколько операционных систем реального времени, включая MQX и FreeRTOS

Область применения:

  • Портативные товары для здоровья
  • Носимые спортивные приборы
  • Оборудование для фитнеса
  • Пульты дистанционного управления аудио- и видеотехники
  • Компьютерные клавиатуры и мыши
  • Игровые контроллеры
  • Системы разграничения доступа
  • Системы безопасности
  • Интеллектуальные счетчики электроэнергии
  • Домашние беспроводные сети

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на MKW40Z160 (BLE/IEEE 802.15.4), MKW30Z160 (BLE) и MKW20Z160 (IEEE 802.15.4) (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Vishay: Семейство интегральных силовых каскадов VRPower® на основе технологии DrMOS с высокой плотностью мощности, предназначенных для многофазных стабилизаторов напряжения
Следующая статья Analog Devices: HMC8401/HMC8402/HMC8410 — малошумящие усилители на диапазон частот от 0 до 30 ГГц
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

IDT: F1975 и F1977 — цифровые ступенчатые аттенюаторы с разрешением 6-бит и 7-бит, соответственно, и рабочим диапазоном частот 5…3000 МГц

Время чтения: 3 минут

Everlight Electronics: ELCOB-N70M8 – новая серия Chip-On-Borad (COB) светодиодов мощностью 6.4 Вт и 8 Вт

Время чтения: 2 минут

Fujitsu Semiconductor: FM3-MB9A310K – семейство новых 32-разрядных микроконтроллеров на базе ядра ARM® Cortex™ — M3, сочетающее широкий набор функциональных возможностей с малогабаритными корпусами с малым числом выводов

Время чтения: 3 минут

Amber Wireless: AMB8425-M — Компактный модуль M-Bus для радиосвязи в диапазоне 868МГц

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?