Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: NXP: BLL6H1214-500 — мощный транзистор для радиолокации L-диапазона, выполненный по LDMOS-технологии
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

NXP: BLL6H1214-500 — мощный транзистор для радиолокации L-диапазона, выполненный по LDMOS-технологии

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Продукция компании NXP авиационного и военного исполнения охватывает такие области применения как радиолокация L-диапазона, S-диапазона, авионика, и отвечает наиболее жестким требованиям, предъявляемым к современнейшему передовому оборудованию. Новые разработки высокопроизводительных приложения для радиолокации L-диапазона и S-диапазона отдаляются от применения биполярных технологий, в которых используется оксид бериллия (BeO). Компанией NXP совмещаются последние достижения в области LDMOS-технологий и передовые решения по корпусированию, благодаря чему создаются транзисторы и субмодули высочайшего качества, производительности и надежности.

Мощный LDMOS-транзистор BLL6H1214-500 предназначен для применений в радиолокационных приложениях L-диапазона 1.2…1.4 ГГц. Основными параметрами транзистора являются импульсная мощность 500 Вт, усиление 17 дБ и 50% КПД. Выдающаяся устойчивость к неблагоприятным условиям окружающей среды, термостабильность в сочетании с высокой мощностью позиционируют данный транзистор как идеальную замену устаревшим биполярным решениям.

BLL6H1214-500 выполнен по новейшей 50-вольтовой LDMOS-технологии компании NXP, благодаря чему имеет следующие преимущества перед биполярными транзисторами:

  • Более высокое усиление и лучшая производительность
  • Улучшенная устойчивость к неблагоприятным условиям окружающей среды – надежная работа в интенсивном режиме до 5 дБ
  • Усовершенствованные режимы переключения и фазовые характеристики транзистора, обуславливающие большую гибкость при выборе используемых импульсных форматов
  • Высокая предсказуемость характеристик – отпадает необходимость настроек
  • Улучшенная термостабильность
  • Корпус из нетоксичных материалов и соответствие стандартам ROHS (таким как отсутствие BeO)

В заключение, можно отметить, что данная продукция – наилучшая в отрасли по параметрам производительности и надежности.

Отличительные особенности

  • Типовые импульсные радиочастотные характеристики, при рабочей частоте 1200…1400 МГц, напряжении питания 50 В, токе стока покоя IDq = 150 мА, времени импульса tp = 300 мкс и δ = 10 %
    • Выходная мощность = 500 Вт
    • Коэффициент усиления мощности = 17 дБ
    • Эффективность = 50%
  • Простая схема управления питанием
  • Интегрированная схема защиты от электростатических разрядов
  • Большая гибкость в отношении различных форм импульса
  • Превосходная прочность
  • Высокая эффективность
  • Превосходная температурная стабильность
  • Разработан для работы в широкополосном диапазоне частот (1200…1400 МГц)
  • Внутренне согласован для простоты эксплуатации
  • Отвечает требованиям RoHS

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BLL6H1214-500 (англ.)

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья National Semiconductor: LM5035C — ШИМ-контроллер с интегрированными драйверами полумостового преобразователя и FET-транзисторов синхронного выпрямителя
Следующая статья NXP: Новые 600-Ваттные ограничительные диоды (TVS, Transient Voltage Suppressor) в корпусе FlatPower
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

NXP: TDF8599ATH – стереофонический усилитель класса D

Время чтения: 2 минут

Infineon Technologies: 2EDN752x / 2EDN852x — двухканальные быстродействующие драйверы семейства EiceDRIVER™ с выходным током 5 А для управления затворами силовых MOSFET-транзисторов нижнего плеча

Время чтения: 2 минут

Broadcom: ACPL-335J — интеллектуальный оптрон для управления затворами силовых MOSFET-транзисторов в высокочастотных приложениях

Время чтения: 2 минут

EBV Elektronik представляет полностью обновленный сайт с совершенно новыми возможностями.

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?