Читаем, обсуждаем, задаем вопросы
3 Июн
Успехи компании Toshiba в технологии Flash-памяти позволили ей создать NAND-память с одноуровневой структурой ячеек (SLC), которая имеет большое количество циклов перезаписи и долгий срок хранения данных. Этот тип памяти особенно подходит для работы с важной или часто используемой информацией.
Для систем и приборов, имеющих продолжительный режим работы и экстремально высокую пропускную способность данных между хостом и запоминающим устройством, память типа SLC NAND FLASH от компании Toshiba является наиболее подходящим решением. Новая фирменная технология BENAND™ позволяет исключить блок обработки ошибок из хост-процессора и перенести его непосредственно в память, сохранив при этом спецификацию интерфейса обмена данными, высокую надёжность и производительность, соответствующую SLC-памяти без дополнительных блоков обработки. Помимо этого данная технология позволяет применять SLC NAND-память на основе техпроцесса 24 нм для тех платформ, которые не поддерживают более высокую разрядность кода коррекции ошибок.
![]() |
Сравнение структуры BENAND™ и стандартной SLC NAND памяти |
Отличительные особенности:
Область применения:
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Брошюра: DLC NAND FLASH память BENAND™ компании Toshiba (англ.)
Веб-страница Toshiba по микросхемам памяти SLC NAND FLASH (англ.)
![]() |
Подпишись на новости! |