Новое семейство IGBT-транзисторов с напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В, выполненных по технологии Field Stop Trench, имеет минимальные потери проводимости, благодаря чему напряжение насыщения VCE(SAT) составляет 1.8 В, что значительно ниже, чем у предыдущего поколения быстродействующих транзисторов с планарным затвором — NPT IGBT.
Такое значение напряжения насыщения является одним из самых низких на рынке для приборов с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1200 В. Высокая эффективность достигается за счет минимальных потерь на выключение (EOFF), не превышающих 30 мкДж/А. Все устройства семейства содержат шунтирующий диод, оптимизированный для высочастотной коммутации.
Новые Field Stop Trench IGBT-транзисторы с рабочим напряжением до 1200 В позволяют разработчикам увеличить энергоэффективность и надежность своих приложений, в полной мере отвечая современным требованиям регулирующих органов к уровню потребления бытовой и промышленной электроники. Транзисторы серии FGHxxT120SMD также поддерживают более высокую частоту переключения по сравнению с конкурирующими устройствами, позволяя использовать более компактные и дешевые конденсаторы и индуктивности, и как следствие увеличить плотность мощности, сократить размеры и стоимость конечного решения.
Отличительные особенности:
- Оптимизирован для применения в схемам с высокой частотой переключения:
- Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT) = 1.8 В при номинальном токе коллектора IC
- Высокая скорость переключения: малый остаточный заряд в закрытом состоянии EOFF = 27 мкДж/А
- Встроенный шунтирующий диод, рассчитанный на высокое быстродействие
- Разработан для обеспечения высокой надёжности приложений:
- Широкая зона безопасной работы (SOA)
- Способность работать на чисто индуктивную нагрузку (тестировался при 4-х кратном превышении номинального тока коллектора)
- Максимальная температура перехода: +175 ˚C
- Возможность параллельной работы нескольких транзисторов (положительный температурный коэффициент)
- Высокое входное сопротивление
- Соответствует требованиям директивы RoHS
Область применения:
- Солнечные инверторы
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Сварочные аппараты
- Высоковольтное/сильноточное медицинское оборудование
- Стабилизаторы источников питания
| Наименование | BVCES (В) |
VSE(sat) (В) |
VF (В) |
IC @100°C (А) |
EOFF (µДж/Ф) |
Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH40T100SMD | 1000 | 1.9 | 3.4 | 40 | 28 | TO-247 |
| FGH15T120SMD | 1200 | 1.9 | 3.2 | 15 | 25 | TO-247 |
| FGH25T120SMD | 1200 | 1.9 | 3.2 | 25 | 25 | TO-247 |
| FGH40T120SMD | 1200 | 1.9 | 3.2 | 40 | 25 | TO-247 |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку