Микроконтроллеры
Подписаться
Поиск...
Follow US
ON Semiconductor: NDF10N60Z — 10 А, 600 В, 0.65 Ом N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-220FP
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
Cypress Semiconductor: Новые микросхемы синхронной QDR II+ SRAM-памяти серии Xtreme для быстродействующих сетевых приложений
Время чтения: 3 минут
Avago Technologies: ACPL-P/W347 и ACPL-P/W349 — оптроны с выходным током 1.0 А и 2.5 А для управления затворами силовых транзисторов высокочастотных импульсных схем преобразования мощности
Время чтения: 3 минут
SIMCOM Wireless Solutions: SIM68M — автономный модуль глобальной системы спутниковой навигации ГЛОНАСС/GPS
Время чтения: 3 минут
STMicroelectronics: STM8 — линейка 8-битных микроконтроллеров для широкого спектра потребительских, промышленных и автомобильных применений
Время чтения: 2 минут
Texas Instruments: TMS320C6A8168/TMS320C6A8167 — двухъядерные (DSP + ARM) процессоры Integra
Время чтения: 6 минут
Infineon Technolgies: IRPS5401 — 5-канальный цифровой преобразователь напряжения типа Point-Of-Load, предназначенный для энергоснабжения ПЛИС FPGA и других устройств с несколькими шинами питания
Время чтения: 2 минут
IDT: IDTF11xx — семейство радиочастотных смесителей на основе технологии Zero-Distortion™
Время чтения: 3 минут
National Semiconductor: ADC161S626 — 16-битный микромощный АЦП семейства PowerWise® для оцифровки с частотой 50…250 кГц
Время чтения: 2 минут
Texas Instruments: TMS320C5504 – DSP-процессор с фиксированной точкой
Время чтения: 2 минут
Texas Instruments: UCC28730 — обратноходовой контроллер питания с регулированием на первичной стороне, сверхнизким потреблением в режиме ожидания, режимом стабилизации по постоянному напряжению или току и функцией пробуждения
Время чтения: 3 минут
Дискретные компоненты: динамика цен и сроков поставки за февраль 2009
Время чтения: 4 минут
Toshiba Electronics: TPWxxxx — семейство низковольтных MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток от 30 В до 100 В и двухсторонним охлаждением
Время чтения: 3 минут
ON Semiconductor: NDBA100N10B / NDBA180N10B — N-канальные MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток 100 В и током стока 100 А / 180 А
Время чтения: 2 минут
Texas Instruments: LM3463 — шестиканальный драйвер мощных светодиодов с широким диапазоном входного напряжения и функцией динамического управления запасом по напряжению (DHC)
Время чтения: 4 минут
Lumotech: L05040 — светодиодный источник питания серии ECOline
Время чтения: 3 минут
Texas Instruments: CC1310 — сверхмалопотребляющий микроконтроллер беспроводной связи суб-гигагерцового диапазона семейства SimpleLink™
Время чтения: 7 минут
Texas Instruments: LMX2592 — высокопроизводительный, широкополосный радиочастотный синтезатор семейства PLLatinum™ с интегрированным управляемым напряжением тактовым генератором
Время чтения: 3 минут
Vishay: SiC47x — серия синхронных понижающих DC/DC преобразователей семейства microBUCK® с входным напряжением от 4.5 В до 55 В и током нагрузки до 12 А
Время чтения: 4 минут
Infineon Technologies: IGW/IKW15/25/40N120H3 — новые IGBT-транзисторы семейства HighSpeed3 с максимальным напряжением 1200 В
Время чтения: 2 минут
STMicroelectronics: STM32F469/479 — новые микроконтроллеры на базе высокопроизводительного ядра ARM® Cortex®-M4 интегрируют внутреннюю память большего объема, отличаются более широким набором периферии и новыми графическими возможностями
Время чтения: 4 минут
ST-Ericsson: ISP1362 — контроллер USB On-The-Go
Время чтения: 5 минут
Fairchild Semiconductor: FDMS7650 — новый MOSFET-транзистор стал первым устройством, преодолевшем барьер RDS(ON) в 1 мОм
Время чтения: 3 минут
Texas Instruments: LMZ36002 — компактный модуль понижающего преобразователя серии SIMPLE SWITCHER® с током нагрузки до 2 А и входным напряжением 60 В позволяет строить источники питания с КПД до 97%
Время чтения: 3 минут
Atmel Corporation: SAM9N12, SAM9CN12, SAM9CN11 — новые микроконтроллеры семейства ARM9 с тактовой частотой 400 МГц и 24-битным интерфейсом ЖК-дисплея формата WVGA
Время чтения: 6 минут
Sensata Technologies: Высокоэффективные решения для тепловых насосов
Время чтения: 3 минут
STMicroelectronics: STx315N10F7 — силовой N-канальный MOSFET-транзистор семейства STripFET F7 с напряжением сток-исток 100 В, сопротивлением открытого канала 2.1 мОм и током стока 180 А,в автомобильном исполнении
Время чтения: 2 минут
STMicroelectronics: LPS331AP — новый микроэлектромеханический (MEMS) датчик абсолютного давления / барометр с цифровым выходом (260..1260 мбар)
Время чтения: 4 минут
STMicroelectronics: TSV619x — операционный усилитель в входом и выходом типа Rail-to-Rail
Время чтения: 2 минут
EBV Elektronik представляет 12-е издание справочника по радиочастотным компонентам компании NXP
Время чтения: 2 минут
STMicroelectronics: STEVAL-IFP008V1 — демонстрационная плата цифрового формирователя сигнала (терминатора) CLT3-4B с ограничителем входного тока
Время чтения: 3 минут
ON Semiconductor: NCP690 — 1-амперный линейный стабилизатор с малым падением напряжения
Время чтения: 2 минут
Vishay: Новые сверх- и гипербыстрые диоды на основе технологии FRED Pt®
Время чтения: 3 минут
Infineon Technolgies: Драйверы электродвигателей в микромодульном исполнении семейства CIPOS™ с 2- или 3-фазным корректором мощности с чередованием, выполненные в корпусе с двухрядным расположением формованных выводов
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
Altera: Энергонезависимая ПЛИС MAX 10 — революционная новинка в линейке ПЛИС FPGA и Систем-на-Кристалле SoC FPGA 10-го поколения компании Altera
Редакция EBV News
Время чтения: 4 минут
Freescale Semiconductor: Kinetis KL02 — новое семейство энергоэффективных микроконтроллеров
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
NXP: EM773 — новый чип для счетчиков электроэнергии
Редакция EBV News
Время чтения: 8 минут
ON Semiconductor: NCP59302 — линейный регулятор со сверхмалым падением напряжения, рабочим током 3 А и быстрой переходной характеристикой
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
NXP: TEA1733 — контроллера импульсного источника питания (SMPS, Switch-Mode Power Supply) класса GreenChip III
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Texas Instruments: THS770006 — полностью дифференциальный 16-битный высокоскоростной операционный усилитель с малым искажением сигнала
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
National Semiconductor: LMZ14201H — модуль питания серии SIMPLE SWITCHER® на ток 1 А с максимальным входным напряжением 42 В
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ® L 38 — первые филаментные светодиоды от подразделения Оптоэлектронные полупроводники компании OSRAM
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Память, оптоэлектроника, сигнальные процессоры и программируемая логика: динамика цен и сроков поставки за июнь 2009
Редакция EBV News
Время чтения: 8 минут
Atmel Corporation: AT32UC3AU – новое семейство ARM-микроконтроллеров для аудио приложений
Редакция EBV News
Время чтения: 4 минут
Infineon Technologies: Новые MOSFET-транзисторы семейства OptiMOS™ на 40 В и 60 В
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
Nexperia: PESDxIVN2x — защитные диоды в автомобильном исполнении для защиты коммуникационных сетей транспортных стредств от электростатических разрядов
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
NXP Semiconductors: BGU6102 — широкополосный кремниевый малошумящий усилитель MMIC (монолитная микроволновая интегральная схема)
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
Infineon Technologies: PROFET™+ — новое семейство силовых коммутаторов верхнего плеча
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Fujitsu Semiconductor: MB96600 – новое семейство 16-разрядных микроконтроллеров на базе архитектуры 16FX
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Fairchild Semiconductor: FUSB302 — программируемый контроллер порта USB Type-C с функцией передачи мощности
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Avago Technologies: AFBR-83PDZ — 12-канальные съемные модули приемопередатчиков с параллельным оптоволоконным соединением
Редакция EBV News
Время чтения: 5 минут
Toshiba Electronics: TKxxA/D/J/X60U — 600-вольтовые силовые MOSFET-транзисторы типа Super Junction
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Vishay: SIRA0x – семейство силовых 30-вольтовых N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по новейшей вертикальной технологии TrenchFET® Gen IV
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
ON Semiconductor: NCP107x – семейство высоковольтных импульсных регуляторов для сетевых источников питания
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
IDT: P9038-R-EVK / P9025AC-R-EVK — комплект разработки беспроводного зарядного устройства для потребительского рынка
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Maxim Integrated: MAX14912 и MAX14913 — 8-канальные быстродействующие ключи верхнего плеча / двухтактные драйверы
Редакция EBV News
Время чтения: 5 минут
Atmel: AVR® XMEGA™ — 8/16-битные Flash-микроконтроллеры с высокими рабочими характеристиками и малым электропотреблением
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Avago Technologies: AFBR-39xxxxRZ — волоконнооптические кабели короткой связи обеспечивают недорогое решение гальванической изоляции компонентов сисемы
Редакция EBV News
Время чтения: 4 минут
Fairchild Semiconductor: FAN6921 — интегральная схема контроллера корректора коэффициента мощности прерывистого режима и квазирезонансного обратноходового преобразователя
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
IDT: 9DBU0xx1 — новая серия буферных схем для шины PCI Express с напряжением питания 1.5 В
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
ON Semiconductor: STK5Q4U3xxJ-E — новые интеллектуальные силовые модули с рабочим напряжением до 600 В и током нагрузки от 5 А до 10 А
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
Texas Instruments: ADS1120 — маломощный, малошумящий 16-битный АЦП для работы с датчиками со слабым выходным сигналом
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Echelon: FT 5000/Neuron® 5000 — процессор Neuron® 5000 компании Echelon®: эффективная замена устаревшим процессорам Neuron
Редакция EBV News
Время чтения: 3 минут
Vishay: новые N-канальные MOSFET транзисторы с рабочим напряжением 600 В и 650 В, рабочими токами 7..77 А и ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии, выполненные по технологии Super Junction
Редакция EBV News
Время чтения: 4 минут
NXP: BLL6H1214-500 — мощный транзистор для радиолокации L-диапазона, выполненный по LDMOS-технологии
Редакция EBV News
Время чтения: 2 минут
Welcome Back!
Sign in to your account
Username or Email Address
Пароль
Remember me
Lost your password?