Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Fairchild Semiconductor: FOD8384 — быстродействующий оптрон для управления затвором MOSFET/IGBT-транзисторов с выходным током 2.5 А в 5-выводном корпусе SOP Optoplanar®
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Fairchild Semiconductor: FOD8384 — быстродействующий оптрон для управления затвором MOSFET/IGBT-транзисторов с выходным током 2.5 А в 5-выводном корпусе SOP Optoplanar®

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

FOD8384 представляет собой оптрон с драйвером затвора, обеспечивающий выходной ток до 2.5 А для управления IGBT и MOSFET транзисторами средней мощности.

Оптрон идеально подходит для быстродействующих схем управления затворами IGBT- и MOSFET-транзисторов, применяемых в инверторах управления двигателем и высокопроизводительных системах питания. FOD8384 поставляется в широкопрофильном 5-выводном компактном пластиковом корпусе, выполненном по копланарной технологии Fairchild Optoplanar® и имеет оптимальную конструкцию, обеспечивающую высокую надёжность при применении в высоковольтных схемах в условиях повышенного электромагнитного излучения. Прибор включает AlGaAs-светодиод и оптически связанную с ним быстродействующую интегральную схему фотодетектора с двухтактным выходным каскадом на основе полевых транзисторов.

Внутренняя архитектура FOD8384

Отличительные особенности:

  • Надёжность применения в высоковольтных приложениях обеспечивается за счёт длины пути тока утечки и безопасного зазора 8 мм и внутреннего изолирующего промежутка 0.5 мм
  • Выходной ток до 2.5 А для управления IGBT/MOSFET-транзисторами средней мощности
    • P-канальный MOSFET-транзистор выходного каскада обеспечивает выходное напряжение, близкое к напряжению питания
  • Минимальный уровень устойчивости к синфазным помехам: 35 кВ/мкс
  • Диапазон напряжения питания: от 15 В до 30 В
  • Малое время переключения во всем диапазоне рабочих температур
    • Максимальная задержка распространения сигнала: 210 нс
    • Максимальное искажение ширины импульса: 65 нс
  • Схема блокировки при недопустимом снижении напряжения питания (UVLO) с гистерезисом
  • Расширенный диапазон рабочих температур: -40…+100 °C
  • Соответствует международным стандартам безопасности:
    • UL1577, напряжение изоляции 5000 В в течение 1 мин.
    • DIN-EN/IEC60747-5-5, рабочее пиковое напряжение пробоя изоляции 1414 В

Область применения:

  • Схемы управление затвором IGBT-транзистора с гальванической развязкой
  • Схемы управления электродвигателем
  • Промышленные инверторы
  • Инверторы солнечных панелей
  • Источники бесперебойного питания (UPS)

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на FOD8384 (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Embit: EMB-Z2538PA-EVK — оценочный набор с модулями для сетей ZigBee стандарта IEEE 802.15.4, рассчитанные на работу в диапазоне 2.4 ГГц
Следующая статья Freescale Semiconductor: AFT05MS004N — радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast мощностью 4 Вт для персональных систем подвижной радиосвязи и измерительных приборов
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

ON Semiconductor: NGTB15N120IHL — IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей

Время чтения: 2 минут

Freescale Semiconductor: MPC5604EKIT — отладочная платформа для разработки автомобильных и промышленных Ethernet камер

Время чтения: 2 минут

Texas Instruments: ADS794x — новая серия малопотребляющих АЦП с частотой дискретизации до 2 MSPS

Время чтения: 2 минут

Infineon Technologies: 3G thinQ!™ — диоды Шоттки на основе карбида кремния снижают цену повышения эффективности

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?