По сравнению с традиционными энергонезависимыми запоминающими устройствами, такими как EEPROM и FLASH, которые выдерживают не более миллиона циклов записи, сегнетоэлектрическая память MB85RS1MT обеспечивает пользователю свыше 10 триллионов циклов записи/чтения и позволяет создавать гибкие в использовании хранилища данных, работающих в реальном масштабе времени.
Кроме того, в отличие от блочного доступа к данным в EEPROM и FLASH памяти, FRAM может быстро и гибко перезаписывать данные в каждую ячейку без каких-либо временных задержек. Благодаря перечисленным свойствам, новый тип памяти имеет значительно меньшее энергопотребление в процессе записи, что положительно сказывается на продолжительности работы конечной системы от аккумулятора. Это особенно важно для переносных приборов и инфраструктур на основе датчиков с функцией частой регистрации данных.
Данная память размещается в миниатюрном 8-выводном корпусе WL-CSP, площадь которого составляет лишь 5% от традиционного SOP-8, что позволяет реализовывать приложения очень малых размеров.
MB85RS1MT работает при напряжении питания от 1.8 В до 3.6 В и гарантирует надежную сохранность данных в течение 10 лет при температуре окружающей среды до +85°C. Типовой диапазон рабочих температур прибора представлен значениями от -40°C до +85°C. Память будет выпускаться как в традиционном корпусе SOP-8, так и в миниатюрном WL-CSP. В настоящее время доступны образцы изделия в корпусе второго типа.
| Внутренняя архитектура MB85RS1MT |
Отличительные особенности:
- Организация памяти: 131 072 слова × 8 бит
- Интерфейс последовательного доступа: SPI
- Соответствующие спецификации SPI режимы передачи данных: mode 0 (0, 0) и mode 3 (1, 1)
- Максимальная тактовая частота:
- При напряжении питания от 1.8 В до 2.7 В: 25 МГц
- При напряжении питания от 2.7 В до 3.6 В: 30 МГц
- При использовании команд чтения данных FSTRD и напряжении питания от 2.7 В до 3.6 В: 40 МГц
- Количество циклов перезаписи данных: 1013 на байт
- Гарантированный срок хранения данных: 10 лет при температуре +85°C
- Диапазон напряжения питания: от 1.8 В до 3.6 В
- Максимальный ток потребления:
- В активном режиме на тактовой частоте 30 МГц: 9.5 мА
- В ждущем режиме: 120 мкА
- В спящем режиме: 10 мкА
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
- Доступные корпуса:
- 8-выводной пластиковый SOP (FPT-8P-M02)
- 8-выводной пластиковый WLP (WLP-8P-M01)
- Соответствие требованиям директивы RoHS
Область применения:
- Носимая электроника (измеритель частоты пульса, спортивные мониторы, интеллектуальные часы и др.)
- Сенсорные приложения (регистрирующие устройства с аккумуляторным питанием и ограниченными габаритами)
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на MB85RS1MT (англ.)