Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: IDT: IDTF11xx — семейство радиочастотных смесителей на основе технологии Zero-Distortion™
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

IDT: IDTF11xx — семейство радиочастотных смесителей на основе технологии Zero-Distortion™

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Низкое энергопотребление и минимальные интермодуляционные искажения третьего порядка в совместимых по выводам корпусах

Являясь представителями семейства устройств, выполненных по технологии Zero-Distortion™ от компании IDT, новые смесители радиочастотных сигналов с преобразованием их в промежуточную частоту снижают искажения и потребляемую мощность, а также улучшают отношение сигнал-шум.

IDTF1150 и IDT1152 являются двухканальными понижающими преобразователями частоты с низкой потребляемой мощностью и низкими искажениями и предназначены для работы в диапазоне частот от 1700 МГц до 2200 МГц. Высокая линейность устройств оценивается в точке интермодуляционных искажений третьего порядка величиной +42 дБм, благодаря чему они могут с успехом использоваться в базовых станциях систем сотовой связи 4G с нескольким несущими и множеством режимов.

По сравнению с типовыми смесителями, данные приборы имеют на 40 % сниженную потребляемую (рассеиваемую) мощность, что является важным показателем для проектирования системы охлаждения радиочастотных карт, плотность монтажа которых увеличиваться с каждым днём. Дополнительно смесители имеют сниженные на 15 дБ интермодуляционные искажения в точке третьего порядка, что способствует улучшению соотношения сигнал-шум. А это в свою очередь позволяет поднять коэффициент усиления входных каскадов с одновременным увеличением производительности.

IDT 1162 представляет собой двухканальный смеситель с напряжением питания 5 В. Он выполняет преобразование в режиме, при котором частота гетеродина может быть выше или ниже частоты радиосигнала. Прибор оптимизирован для применения в базовых станциях с несколькими несущими частотами сетей LTE с дуплексной передачей сигнала с мультиплексированием по времени (TDD), работающих в диапазоне частот от 2300 до 2700 МГц. Промежуточная частота смесителя составляет диапазон от 50 МГц до 500 МГц. Номинальный уровень интермодуляционных искажений устройства в точке третьего порядка равен +43 дБм, а ток потребления не превышает 335 мА.

IDT F1102 принадлежит к семейству двухканальных приборов с напряжением питания 5 В и предназначен для работы в диапазоне УВЧ. Он может использоваться в базовых станциях с несколькими несущими в диапазоне частот от 698 до 915 МГц. Прибор также работает в режиме, при котором частота гетеродина может быть выше или ниже частоты радиосигнала, с промежуточной частотой от 20 МГц до 300 МГц.

Внутренняя архитектура IDTF1152

Отличительные особенности:

  • Характеристики технологии Zero-DistortionTM:
    • Значительное повышение производительности для критичных понижающих преобразователей частоты в базовых передающих станциях сотовой связи
    • Фактическое исключение интермодуляционных продуктов в выходном сигнале промежуточной частоты (подавление более 18 дБ в точке третьего порядка IM3)
    • Снижение потребляемой мощности на 40%
    • Облегчает оптимизацию производства радиочастотных карт с запасом характеристик для гарантированной сертификации
    • Позволяет повышать средний уровень усиления с улучшенным соотношением сигнал-шум
    • Сертифицирована по показателям производительности и надёжности при рабочей температуре свыше 100 ˚C

Область применения:

  • Системы беспроводной связи
  • Базовые станции беспроводной связи 4G
  • Приемники базовых станций с несколькими несущими

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на IDTF1100 (англ.)

Документация на IDTF1102 (англ.)

Документация на IDTF1150 (англ.)

Документация на IDTF1152 (англ.)

Документация на IDTF1162 (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья IDT: IDT8P34S — серия высокопроизводительных, малопотребляющих LVDS буферов тактового сигнала с разветвлением с напряжением питания 1.8 В
Следующая статья Infineon Technologies: BTN89xx — интегральные сильноточные полумостовые драйверы электродвигателя семейства NovalithIC™
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

IDT: Компоненты сохранения целостности сигнала — обеспечивают качество сигнала при передачи данных на большие расстояния

Время чтения: 2 минут

Texas Instruments: TPS6223x — 2/3 МГц ультраминиатюрные понижающие преобразователи в корпусе SON размером 1.0 x 1.5 мм

Время чтения: 2 минут

NXP Semiconductors: BLF6G15L(S) – силовой радиочастотный LDMOS-транзистор

Время чтения: 2 минут

Fairchild Semiconductor: FDMA910PZ(T) – новые 20–вольтовые P-канальные MOSFET-транзисторы для портативных устройств, выполненные по технологии PowerTrench®

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?