Компания Infineon объявила о выпуске новых силовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7 с напряжением сток-исток 800 В. Благодаря низкому значению сопротивления открытого канала, транзисторы обеспечивают минимальные потери проводимости и высокий КПД.
Полевые транзисторы новейшего семейства CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением до 800 В объединяют в себе превосходную производительность и простоту использования, что является результатом 18-летних инновационных разработок технологии суперперехода компании Infineon. Устройства отличаются увеличенным на 0.1%…0.6% коэффициентом полезного действия и уменьшенной на 2°C…8°C рабочей температурой перехода, по сравнению с семейством CoolMOS™ C3, что подтверждено тестами в базовых обратноходовых топологиях. Такие высокие характеристики транзисторов получены за счет сочетания различных параметров: уменьшенными в два раза энергией сток-исток EOSS и величиной заряда затвора QG, а также сниженной входной CISS и выходной COSS емкости.
Новые транзисторы идеально подходят для применения в маломощных импульсных источниках питания, в полной мере отвечая таким требованиям, как высокая производительность, простота использования и высокое соотношение цена-качество. Целевой областью применения транзисторов CoolMOS™ P7 являются преобразователи напряжения с обратноходовой топологией, такие как адаптеры питания, зарядные устройства, драйверы светодиодов, импульсные источники питания аудиоустройств, резервные источники питания и промышленные преобразователи мощности.
| Функциональная блок-схема транзисторов CoolMOS™ P7 |
Отличительные особенности:
- Превосходные показатели качества (FOM = RDS(ON) х EOSS); сниженный заряд затвора QG, малые входная CISS и выходная COSS емкости
- Малое сопротивление открытого канала RDS(ON) для корпуса DPAK: 280 мОм, 360 мОм и 450 мОм
- Низкое пороговое напряжение затвор-исток V(GS)th: 3.0 В, и малая его вариация: 0.5 В
- Встроенный стабилитрон для защиты от электростатических разрядов: до 2-го класса по модели человеческого тела
- Высокое качество и надежность
Преимущества:
- Увеличенный на 0.1%…0.6% КПД и сниженная на 2°C…8°C рабочая температура перехода по сравнению с 800-вольтовыми транзисторами предыдущего поколения CoolMOS™ C3
- Увеличивают плотность мощности системы, снижают затраты на комплектующие и стоимость монтажа
- Простая схема управления и легкость интеграции в пользовательское приложение
- Повышают доходность производства за счет высокой стойкости к отказам, связанным со статическими разрядами
- Упрощают процесс производства и снижают уровень возврата
- Облегчают правильный выбор компонентов для создания оптимальных конструкций
Область применения:
- Сетевые адаптеры
- Светодиодное освещение
- Аудиоусилители
- Промышленные импульсные источники питания
- Резервные источники питания
Доступные на сегодня MOSFET-транзисторы семейства CoolMOS™ P7
| RDS(ON) (мОм) |
TO-220 FullPAK |
TO-220FP NarrowLead |
TO-252 DPAK |
TO-220 | TO-247 | TO-251 IPAK |
TO-251 IPAK SL |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4500 | — | — | IPD80R4K5P7 | — | — | IPU80R4K5P7 | — |
| 1400 | IPA80R1K4P7 | — | IPD80R1K4P7 | IPP80R1K4P7 | — | IPU80R1K4P7 | IPS80R1K4P7 |
| 450 | IPA80R450P7 | IPAN80R450P7 | IPD80R450P7 | IPP80R450P7 | — | — | — |
| 280 | IPA80R280P7 | IPAN80R280P7 | IPD80R280P7 | IPP80R280P7 | IPW80R280P7 | — | — |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Подробнее о MOSFET-транзисторах на сайте Infineon (англ.)