Компания Infineon расширяет линейку 600-вольтовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7, предлагая максимально широкий выбор, тщательно подобранных по уровню сопротивления открытого канала RDS(ON), силовых ключей, выполненных по технологии супер-перехода (SJ).
Полевые транзисторы CoolMOS™ P7 компании Infineon предлагают наиболее сбалансированное решение, оптимально сочетая легкость применения и наивысшую в отрасли энергоэффективность.
| Функциональная блок-схема транзисторов CoolMOS™ P7 |
Отличительные особенности:
- Подходят для применения в схемах с плавным и жестким режимами коммутации (корректоры коэффициента мощности и резонансные преобразователи структуры LLC)
- Простота использования и быстрая разработка конечного решения благодаря низкому уровню «звона» транзистора
- Упрощение конструкции системы охлаждения за счет низких потерь на переключение
- Большая отказоустойчивость благодаря стойкости к электростатическим разрядам свыше 2 кВ (по модели человеческого тела)
- Большая плотность мощности благодаря применению корпусов меньших размеров
- Подходят для широкого спектра приложений и диапазонов мощности
- Значительно увеличенная стойкость к коммутационным переходным процессам
- Оптимальное соотношение энергоэффективности и простоты использования
- Значительное снижение потерь на переключение и потерь проводимости
- Улучшенное соотношение сопротивления открытого канала RDS(ON) к площади кристалла в сравнении с конкурирующими продуктами: менее 1 Ом/мм2
Область применения:
- Источники питания персональных компьютеров, серверов, телекоммуникационного оборудования
- Инверторы солнечных панелей
- Зарядные станции для электромобилей
- Твердотельные источники света
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Подробнее о 600-вольтовых MOSFET-транзисторах CoolMOS™ P7 на сайте Infineon (англ.)