Компания Infineon расширила ассортимент мощных MOSFET-транзисторов OptiMOSTM новыми 200- и 250-вольтовыми приборами с лидирующими характеристиками.
Использование 200- и 250-вольтовых транзисторов OptiMOSTM в выпрямительном каскаде 48-вольтовых источников питания позволит добиться уровня КПД свыше 95%. Это означает, что прирост КПД по отношению к типовым для текущего момента уровням, составит 2% (эквивалентно снижению потерь мощности до 30%). Технологии, по которым выполнены транзисторы, если сравнивать c аналогичными приборами, обеспечивают снижение сопротивления открытого канала RDS(ON) до 50%, а QG (заряд затвора) — до 5%. Кроме того, новые транзисторы несут в себе ряд возможностей по снижению себестоимости системы. Благодаря более низкому сопротивлению канала, они могут работать с более компактным теплоотводом и с меньшим числом параллельно-включенных транзисторов, а, благодаря улучшенным динамическим характеристикам, упрощается процесс проектирования.
Отличительные особенности
- Низшие в отрасли значения RDS(ON) и QG
- Превосходные коммутационные характеристики
- Лучший показатель качества (FOM) QG x RDS(ON)
- Отвечает требованиям RoHS — не содержит галогенов
| S308 | SuperSO8 | TO-220 | |
| 200 В | BSZ1xDN20N3 G 113.0 мΩ |
BSC3x0N20NS3 G 33.0 мΩ |
IPP1x0N20N3 G 12.0 мΩ |
| 250 В | BSZ2xDN25NS3 G 210.0 мΩ |
BSC6x0N25NS3 G 65.0 мΩ |
IPP2x0N25N3 G 24.0 мΩ |
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Веб-страница Infineon по MOSFET-транзисторам OptiMOS