Карбид кремния (SiC) – идеальный полупроводниковый материал для построения силовых электронных приборов, которые уверенно превосходят кремниевые (Si) и нитрид-галлиевые (GaN) силовые приборы.
SiC-диоды позволяют добиться рекордных коммутационных характеристик (практически полностью избавлены от потерь коммутации) и отличных характеристик проводимости, особенно при работе с напряжениями 600В и выше. Данные свойства позволяют установить новую рекордную планку по эффективности и снизить сложность импульсных блоков питания. Кроме того, благодаря увеличению диаметра пластины SiC-приборов, эта, прежде экзотическая и дорогостоящая технология, стала более доступной.
Компания Infineon недавно выпустила третье поколение (3G) SiC диодов Шоттки. Диоды из семейства 3G thinQ!TM характеризуются рекордно-низкой емкостью в любом из номиналов тока. Это создает предпосылки для дальнейшего повышения общесистемной эффективности, особенно при работе на повышенных частотах и при малых токах нагрузки. Помимо повышения рабочей частоты и плотности мощности, контроллер предъявляет менее жесткие требования к системе охлаждения, что способствует снижению себестоимости системы.
Наконец, компания Infineon предлагает самый обширный в промышленности ассортимент SiC диодов Шоттки, в который входят исполнения не только в корпусе TO-220 (истинная 2-выводная версия), но также в корпусе DPAK для устройств с поверхностным монтажом и высокой плотностью мощности.
Список продуктов
DPAK (TO-252)
| Нарпяжение | IF [A] | QC (тип.) [нКл] | IFSM [A] | Наименование |
|---|---|---|---|---|
| 600В | 3 | 3.2 | 11.5 | IDD03SG60C |
| 4 | 4.5 | 18 | IDD04SG60C | |
| 5 | 6 | 26 | IDD05SG60C | |
| 6 | 8 | 31 | IDD06SG60C | |
| 8 | 12 | 42 | IDD08SG60C | |
| 9 | 15 | 49 | IDD09SG60C | |
| 10 | 16 | 51 | IDD10SG60C | |
| 12 | 19 | 59 | IDD12SG60C |
TO-220 (2 вывода)
| Нарпяжение | IF [A] | QC (тип.) [нКл] | IFSM [A] | Наименование |
|---|---|---|---|---|
| 600В | 3 | 3.2 | 11.5 | IDH03SG60C |
| 4 | 4.5 | 18 | IDH04SG60C | |
| 5 | 6 | 26 | IDH05SG60C | |
| 6 | 8 | 31 | IDH06SG60C | |
| 8 | 12 | 42 | IDH08SG60C | |
| 9 | 15 | 49 | IDH09SG60C | |
| 10 | 16 | 51 | IDH10SG60C | |
| 12 | 19 | 59 | IDH12SG60C |
| Нарпяжение | IF [A] | QC (тип.) [нКл] | IFSM [A] | Наименование |
|---|---|---|---|---|
| 1200В | 2 | 7 | 14 | IDH02SG120 |
| 5 | 18 | 29 | IDH05S120 | |
| 8 | 27 | 39 | IDH08S120 | |
| 10 | 36 | 58 | IDH10S120 | |
| 15 | 54 | 78 | IDH15S120 |
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Обзор SiC-диодов Шоттки третьего поколения thinQ! 3G (англ.)