Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Infineon Technologies: Транзисторы семейства CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 650 В
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Infineon Technologies: Транзисторы семейства CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 650 В

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Новое семейство транзисторов CoolMOS™ C7 от компании Infineon является революционным шагом вперёд в технологии производства этих приборов, обеспечивая самое низкое в мире сопротивление открытого канала RDS(ON), а благодаря низким потерям на переключение, повышенный КПД при любом уровне нагрузки.

Семейство транзисторов C7 оптимизировано для жестких режимов коммутации работы в таких схемах, как корректоры коэффициента мощности (CCM PFC), прямоходовые двухтактные преобразователи напряжения (TTF) и солнечные инверторы. Данные схемы могут являться составной частью устройств солнечной энергетики, серверов, телекоммуникационного оборудования и бесперебойных источников питания. Благодаря высокому значению пробивного напряжения сток-исток, равному 650 В, транзисторы имеют значительный запас надёжности при использовании в импульсных источниках питания и солнечных инверторах.

Новые MOSFET-транзисторы обладают самым низким в мире сопротивлением открытого канала RDS(ON): 19 мОм для устройств в корпусе TO-247 и 45 мОм для корпусов TO-220 и D2PAK. За счёт способности эффективно работать на высоких частотах, семейство транзисторов C7 позволяет пользователям создавать схемы с рабочей частотой свыше 100 кГц, достигая при этом максимального уровня КПД корректоров коэффициента мощности источников питания для серверов. Это открывает новые возможности для достижения более высоких значений плотности мощности путём снижения необходимого монтажного пространства для пассивных компонентов.

Отличительные особенности:

  • Максимальное пробивное напряжение сток-исток: 650 В
  • Непревзойдённое значение сопротивления открытого канала для транзисторов на основе карбида висмута
  • Снижение накопления энергии в выходном конденсаторе (EOSS)
  • Низкая величина заряда затвора (QG)
  • Снижение потерь и увеличение частоты переключения благодаря низким величинам EOSS и QG
  • Экономия монтажного пространства за счёт более компактного корпуса и снижения числа компонентов схемы
  • 12-летний опыт применения технологии Суперперехода

Преимущества:

  • Повышенная надёжность и оптимальность применения в импульсных источниках питания и солнечных инверторах
  • Самые низкие потери проводимости
  • Низкие потери на переключение
  • Высокий КПД при работе на малой нагрузке
  • Возможность работать на высоких частотах способствует уменьшению размеров индуктивных элементов схемы, а следовательно, и её общей стоимости, а также повышает плотность мощности
  • Высокое качество благодаря технологии CoolMOS™

Область применения:

  • Телекоммуникации
  • Серверы
  • Солнечная энергетика
  • Источники питания ПК

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Веб-страница Infineon по MOSFET транзисторам серии CoolMOS™ C7 (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья IDT: 8T49N28x — универсальные преобразователи частоты
Следующая статья ON Semiconductor: NCP1030 / NCP1031 — интегральные преобразователи постоянного напряжения для систем питания посредством сети Ethernet (PoE) и телекоммуникаций
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Freescale Semiconductor: LS1021A — сетевой процессор семейства QorIQ LS1 на базе ядра ARM с мощностью потребления менее 3 Вт

Время чтения: 4 минут

Maxim Integrated: MAX40006 — микромощный операционный усилитель с Rail-to-Rail входом и выходом для портативных приложений с аккумуляторным питанием

Время чтения: 2 минут

Toshiba Electronics: TLP2703 — быстродействующий оптрон со схемой дарлингтона на выходе

Время чтения: 3 минут

EBV Elektronik: Конференция TechTrends Symposium 2012 Russia

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?