Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Infineon Technologies: Транзисторы серии CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В становятся на один шаг ближе к устройствам из нитрида галлия
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Infineon Technologies: Транзисторы серии CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В становятся на один шаг ближе к устройствам из нитрида галлия

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Новые транзисторы CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В от компании Infineon обладают в два раза меньшей энергией выключения (EOFF) по сравнению с приборами предыдущей серии CoolMOSTM CP, обеспечивая уровень быстродействия, сопоставимый с транзисторами из нитрида галлия, в таких схемах как корректоры коэффициента мощности, двухтактные прямоходовые преобразователи и других приложениях с жестким режимом переключения.

Приложения, для которых критичным параметром является КПД и общая стоимость владения (TCO), будут иметь преимущество при использовании новых транзисторов CoolMOS™ C7. Кроме того, получение максимального КПД при полной нагрузке и снижение стоимости продукта станет возможным благодаря использованию для данного транзистора 4-выводного корпуса TO-247. Это достигнуто за счет уменьшения сопротивления открытого канала RDS(ON) до величины, меньшей, чем у традиционных транзисторов в 3-выводном корпусе (40 мОм против 70 мОм). Удвоенная рабочая частота переключения приведет к снижению затрат на магнитные компоненты: до 30% на медной обмотке и до 45% на материале сердечника.

Отличительные особенности:

  • Сниженные потери на переключение за счет меньшего заряда затвора QG и меньшей выходной емкости COSS позволяют транзистору работать на более высоких частотах
  • Сниженная на 50% по сравнению с предыдущим поколением транзисторов CoolMOS™ остаточная энергия сток-исток EOSS, сравнимая с транзисторами на основе нитрида галлия (GaN)
  • Очень низкое сопротивление открытого канала RDS(ON): менее 0.04 Ом
  • Улучшенные характеристики паразитного диода и сниженный заряд сток-исток QOSS

Преимущества:

  • Снижение затрат на магнитные компоненты на 30% и увеличенная частота переключения с 65 кГц до 130 кГц
  • Уменьшение в два раза размеров катушек индуктивности
  • Увеличение КПД в схемах корректоров коэффициента мощности и двухтактных прямоходовых преобразователей (TTF)
  • Снижение затрат на 10%, связанных с потерями энергии в источниках питания, благодаря применению 4-выводного корпуса TO-247
  • Меньшие размеры транзистора при одинаковом сопротивлении открытого канала RDS(ON) позволяют повысить плотность мощности
  • Прибор подходит для схем коррекции коэффициента мощности и высококачественных резонансных преобразователей структуры LLC

Область применения:

  • Схемы коррекции коэффициента мощности и схемы широтно-импульсной модуляции высокой мощности
  • Импульсные источники питания для
    • Персональных компьютеров
    • Серверов
    • Телекоммуникационного оборудования — подробная информация на сайте Infineon
  • Солнечные панели — подробная информация на сайте Infineon

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Подробнее о транзисторах CoolMOS™ C7 на сайте Infineon (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья IDT: P9038-R-EVK / P9025AC-R-EVK — комплект разработки беспроводного зарядного устройства для потребительского рынка
Следующая статья Infineon Technologies: StrongIRFET™ — новое семейство MOSFET-транзисторов в корпусе Medium Can DirectFET™ с угловой площадкой затвора
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

LS Research: TiWiConnect — комплексная платформа для подключения устройств к облачным сервисам

Время чтения: 3 минут

STMicroelectronics: VL53L0X — самый маленький в мире датчик расстояния на основе времяпролетного метода измерения

Время чтения: 3 минут

Toshiba Electronics: TLP708 — высокоскоростной оптрон с максимальным временем коммутации всего 75 нс

Время чтения: 2 минут

Toshiba Electronics: TLP5214 — новый интеллектуальный оптрон для управления затвором IGBT/MOSFET-транзисторов

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?