Новое семейство IGBT-транзисторов ломает скоростные ограничения при различных топологиях.
Изготовленное с учетом требований заказчиков новое семейство IGBT-транзисторов HighSpeed3 с максимальным напряжением 1200 В предназначено для высокочастотных приложений с топологией как жесткого так и мягкого переключения, требуемых в оптимизированных силовых ключах.
Так как рассеиваемая мощность и эффективность являются ключевыми параметрами в обеих топологиях, оптимизация IGBT является решающим способом достижения требуемых параметров. Данные транзисторы отлично подходит для применений, где требуется частота переключений выше 20 кГц. При таких скоростях потери на проводимость незначительны, и величина «токового хвоста» (когда транзистор уже закрыт по входу, но рабочий ток все еще протекает) очень мала. Все это явилось результатом многогранной оптимизации потерь при переключениях.
Исполнение, в котором эмиттерный диод четвертого поколения интегрирован с быстрым IGBT-транзистором, обеспечивает наивысшую надежность, функциональность и оптимальный баланс между потерями проводимости и переключения.
Новое семейство 1200-вольтовых IGBT оптимизировано для работы в составе высокочастотных преобразователей солнечной энергии, бесперебойных источников питания и сварочных аппаратов, предлагая наивысшие энергетические характеристики и производительность.
| Сравнительная диаграмма IGBT-транзисторов семейства HighSpeed3 и двух основных конкурентов при 150°С |
|---|
| Ic ном. А |
Ic пик. А |
Ptot 25°C Вт |
Ptot 100°C Вт |
Vce 25°C В |
Vce 175°C В |
TO-247 Single |
TO-247 Duopack |
Заказ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 15 | 60 | 217 | 105 | 2.05 | 2.7 | IGW15N120H3 | Да | |
| 25 | 75 | 326 | 156 | 2.05 | 2.7 | IGW25N120H3 | Да | |
| 40 | 160 | 483 | 220 | 2.05 | 2.7 | IGW40N120H3 | Да | |
| 15 | 60 | 217 | 105 | 2.05 | 2.7 | IKW15N120H3 | Да | |
| 25 | 75 | 326 | 156 | 2.05 | 2.7 | IKW25N120H3 | Да | |
| 40 | 160 | 483 | 220 | 2.05 | 2.7 | IGW40N120H3 | Да |
Отличительные особенности
- Компактная схема и минимальные размеры радиатора
- Оптимизированный диод снижает рассеяние мощности, когда не требуется реактивная мощность
- Интеллектуальный режим переключения
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Руководство по применению IGBT-транзисторов семейства High Speed 3 (англ.)
Краткое описание IGBT-транзисторов семейства High Speed 3 (англ.)