Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Infineon Technologies: TRENCHSTOP™ 5 — новая технология построения IGBT-транзисторов
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Infineon Technologies: TRENCHSTOP™ 5 — новая технология построения IGBT-транзисторов

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Высокая эффективность при низких потерях на переключение и проводимости.

Новая технология производства IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5 от компании Infineon позволяет говорить о том, что данный класс приборов может иметь непревзойдённую производительность и высокий КПД в мощных импульсных устройствах. Транзисторы на основе этой технологии оптимально подходят для применения в схемах корректоров коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях, которые в свою очередь используются в таких устройствах, как источники бесперебойного питания и инверторные сварочные аппараты.

Технология TRENCHSTOP™ 5 предлагает лучшее решение для высокопроизводительных сварочных аппаратов и источников бесперебойного питания:

  • Ваши требования
    • Высокий КПД, высокое качество
    • Высокая рабочая частота преобразования для повышенного выходного тока
    • Низкая рассеиваемая мощность для уменьшения размеров охлаждающих компонентов и высокой надёжности
    • Меньший вес и компактные размеры сварочного аппарата
  • Решение
    • Лучшая в своем классе разработка с высокой производительностью
    • Самый высокий КПД при частоте преобразования от 50 до 100 кГц
    • Превосходное качество сварки благодаря очень малому времени протекания тока дуги (550 мкс)
    • Низкая температура перехода и корпуса транзистора – не более 35 °C, ниже, чем у конкурентов
IC @ TC=100°C TO-220
Без галогенов
TO-220 FullPAK
Без галогенов
TO-247
IGBT 20 IGP20N65F5/H5    
30 IGP30N65F5/H5    
40 IGP40N65F5/H5   IGW40N65F5/5
50     IGW50N65F5/5
DuoPack 8 IKP08N65F5/H5 IKA08N65F5/H5  
15 IKP15N65F5/H5 IKA15N65F5/H5  
20 IKP20N65F5/H5    
30 IKP30N65F5/H5    
40 IKP40N65F5/H5   IKW40N65F5/H5
50     IKW40N65F5/H5

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Веб-страница Infineon по 650-вольтовым IGBT-транзисторам семейства TRENCHSTOP™ 5 (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Infineon Technologies: TLI4970 — миниатюрный высокоточный цифровой магнитный датчик тока
Следующая статья NXP: TJA1049 — высокоскоростной приёмопередатчик CAN-интерфейса с режимом ожидания
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Toshiba Electronics: TLP385 — оптрон в широкопрофильном корпусе с транзисторным выходом

Время чтения: 2 минут

Infineon Technologies: Малошумящие усилители и коммутаторы СВЧ-диапазона

Время чтения: 3 минут

NXP: Новые 600-Ваттные ограничительные диоды (TVS, Transient Voltage Suppressor) в корпусе FlatPower

Время чтения: 3 минут

Toshiba Electronics: TC58Bxxxx BeNAND — недорогая NAND FLASH память с одноуровневой организацией ячеек и встроенным блоком коррекции ошибок, выполненная по техпроцессу 24 нм

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?