Недорогая высокоскоростная CMOS PSRAM с объемом памяти 4 / 8 / 16 / 32 и 64 Мбит
Псевдостатическая память PSRAM представляет собой комбинацию преимуществ динамической памяти DRAM (высокая плотность при малой цене бита) и статической памяти SRAM (низкое энергопотребление и простота использования).
PSRAM – высокоскоростная псевдостатическая CMOS-память, предназначенная для недорогих портативных приложений. Данные устройства поддерживают стандартный промышленный асинхронный интерфейс обмена данными, предлагаемый в других низкопотребляющих микросхемах статической или псевдостатической памяти. Для непрерывного режима работы с асинхронной шиной памяти, в данных PSRAM-компонентах применяется явный механизм саморегенерации. Скрытая регенерация не нуждается в дополнительном обслуживании системным контроллером памяти и не оказывает существенного влияния на производительность операций записи/чтения устройства.
Псевдостатическая память является идеальным решением для приложений, чувствительных к стоимости, но в то же время допускающих более высокие токи потребления в дежурном режиме.Псевдостатическая память является идеальным решением для приложений, чувствительных к стоимости, но в то же время допускающих более высокие токи потребления в дежурном режиме.
Отличительные особенности
Приведенные ниже параметры относятся к устройствам с 32 Мбит и 64 Мбит памяти
- Различные режимы работы
- Интерфейс с поддержкой асинхронного и постраничного режимов
- Одиночное устройство поддерживает асинхронный и пакетный режимы
- Смешанный режим работы с поддержкой операций асинхронной записи и синхронного чтения
- Сдвоенная шина питания для оптимальной производительности
- Напряжение питания ядра VDD: 1.7…1.95 В (1.8-вольтовая версия)
- Напряжение питания линий ввода/вывода VDDQ: 1.7…1.95 В (1.8-вольтовая версия)
- Напряжение питания ядра VDD: 2.7…3.6 В (3-вольтовая версия)
- Напряжение питания линий ввода/вывода VDDQ: 2.7…3.6 В (3-вольтовая версия)
- Время чтения в постраничном режиме
- Межстраничный режим чтения: 70 нс
- Внутристраничный режим чтения: 20 нс
- Функции энергосбережения
- Регенерация с контролем по температуре
- Частичная регенерации ячеек памяти
- Режим глубокого снижения энергопотребления (DPD — Deep Power-Down)
- Ток потребления
- Асинхронный режим работы: менее 30 мА
- Внутристраничный режим чтения: менее 18 мА
- Режим ожидания: менее 110 мкА (32 Мбит), менее 180 мкА (64 Мбит)
- Режим DPD: менее 3 мкА (тип.)
- Диапазон рабочих температур: -40…+85°C
- Доступные корпуса: 48-выводные TFBGA и TSOP-I
| Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology). |
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на 66WV25616ALL/BLL (англ.)
Документация на 66WV51216ALL/BLL (англ.)
Документация на 66WVE2M16BLL (англ.)
Документация на 66WVE4M16BLL (англ.)
Веб-страница компании ISSI по компонентам Pseudo SRAM памяти