Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: NXP: BLA6H1011-600 — мощный LDMOS транзистор для авиационной электроники
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

NXP: BLA6H1011-600 — мощный LDMOS транзистор для авиационной электроники

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Ассортимент компонентов военного и авиационного назначения компании NXP охватывает ряд областей применения, включая L-диапазон, S-диапазон и авиационную электронику, и отвечает условиям применения в самом современном оборудовании. В новых разработках для радарных систем, работающих в L- и S- диапазонах, намечена тенденция отхода от биполярных технологий с использованием токсичного оксида бериллия (BeO). Применение новой LDMOS-технологии в сочетании с передовыми технологиями корпусирования позволяет создать транзисторы, отличающиеся высоким качеством, отличными рабочими характеристиками и надежностью.

Работая от источника питания 50В, мощный LDMOS-транзистор BLA6H1011-600 способен развить выходную мощность 600Вт при работе с импульсным РЧ-сигналом. При этом, КПД и коэффициент усиления составят 52% и 17 дБ, соответственно, в пределах всего диапазона. Транзистор ориентирован на применение в авиационной электронике, работающей в диапазоне частот 1030…1090 МГц, в т.ч. системы TCAS (системы предупреждения столкновения в воздухе) и IFF (системы опознавания «свой/чужой»). Для управления данным транзистором в оконечном каскаде необходимо использовать специальный драйвер BLL6H0514-25 (NXP).

BLA6H1011-600 выполнен на основе разработанной NXP новой 50-вольтовой технологии LDMOS и, благодаря этому, сочетает высокую плотность мощности биполярного транзистора в корпусе улучшенной конструкции со всеми преимуществами LDMOS-транзисторов над биполярными, в т.ч.:

  • Больше коэффициент усиления и лучше эффективность
  • Выше надежность – перегрузка до 5 дБ без риска повреждения
  • Улучшенные значения завала вершины импульса и вносимого фазового сдвига повышают гибкость проектирования в плане свободы выбора формата импульсов
  • Постоянство рабочих характеристик – не требуется подстройка
  • Улучшенные тепловые характеристики
  • Нетоксический корпус и ROHS-совместимость (т.е. не содержит BeO)

Отличительные особенности

  • Типовые импульсные радиочастотные характеристики, при рабочей частоте 1030…1090 МГц, напряжении питания 48 В, токе стока покоя IDq = 100 мА, времени импульса tp = 50 мкс и δ = 2 %
    • Выходная мощность = 600 Вт
    • Коэффициент усиления мощности = 17 дБ
    • Эффективность = 52%
  • Простая схема управления питанием
  • Интегрированная схема защиты от электростатических разрядов
  • Большая гибкость в отношении различных форм импульса
  • Превосходная прочность
  • Высокая эффективность
  • Превосходная температурная стабильность
  • Разработан для работы в широкополосном диапазоне частот (1030…1090 МГц)
  • Внутренне согласован для простоты эксплуатации
  • Отвечает требованиям RoHS

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на BLA6H1011-600 (англ.)

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья National Semiconductor: LMP8358 — программируемый инструментальный усилитель с нулевым дрейфом и функцией диагностики
Следующая статья NXP: BLL6H0514-25 — драйвер мощного LDMOS-транзистора
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Atmel Corporation: AT21CS01 — последовательная EEPROM-память объемом 1 Кбит с однопроводным интерфейсом

Время чтения: 4 минут

Fairchild Semiconductor: FL77944MX — драйвер светодиодов высокой мощности с аналоговой и цифровой схемами диммирования, работающий непосредственно от сети переменного тока

Время чтения: 2 минут

Avago Technologies: ACPL-M71T и ACPL-M72T — высокоскоростные КМОП оптроны с технологией R2Coupler, сертифицированные по AEC-Q100

Время чтения: 2 минут

NXP Semiconductors: BGU7008 — малошумящий усилитель для навигаторов GPS, GLONASS и Galileo, произведенный с использованием кремний-германиевого с добавлением углерода (SiGe:C) технологического процесса

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?