Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: ON Semiconductor: IGBT-транзисторы серий L2 и FL2 для бесперебойных источников питания, инверторов и схем управления электродвигателями
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

ON Semiconductor: IGBT-транзисторы серий L2 и FL2 для бесперебойных источников питания, инверторов и схем управления электродвигателями

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Новые IGBT-транзисторы выполнены по надежной и недорогой архитектуре Field Stop II Trench, обеспечивающей высокую производительность в требовательных схемах коммутации за счёт низкого остаточного сопротивления и минимальных потерь на переключение.

Ниже перечислены параметры IGBT-транзисторов, одинаково хорошо подходящих для бесперебойных источников питания, солнечных инверторов и схем управления электродвигателями. Некоторые из транзисторов содержат быстродействующий демпферный диод с малым падением прямого напряжения. Приборы серии L2 специально разработаны для схем управления двигателями, но также отлично подойдут для применения в сварочных аппаратах.

Серия L2

Наименование VCES
(В)
ID
(А)
TSC
(мкс)
NGTB30N120L2WG 1200 30 10
NGTB50N60L2WG 600 50 5
NGTB40N60L2WG 600 40 5

 

Серия LF2

Наименование VCES
(В)
ID
(А)
TSC
(мкс)
NGTB75N60FL2WG 600 75 5
NGTB50N60FL2WG 600 50 5
NGTB40N60FL2WG 600 40 5
NGTB35N60FL2WG 600 30 5
NGTB75N65FL2WG 650 75 5
NGTB50N65FL2WG 650 50 5
NGTB40N65FL2WG 650 40 5
NGTB35N65FL2WG 650 30 5
NGTB50N120FL2WG 1200 50 10
NGTB40N120FL2WG 1200 40 10
NGTG40N120FL2WG 1200 40 10
NGTB30N120FL2WG 1200 30 10
NGTB25N120FL2WG 1200 25 10
NGTG25N120FL2WG 1200 25 10
NGTB15N120FL2WG 1200 15 10
NGTG15N120FL2WG 1200 15 10

 

Отличительные особенности:

  • Очень высокая проводимость канала транзистора благодаря технологии Field Stop
  • Максимальная температура перехода TJ = 175°C
  • Наличие быстро восстанавливающегося демпферного диода в некоторых приборах
  • Оптимальная конструкция для работы на высоких частотах переключения
  • Способность выдерживать без повреждения кристалла ток короткого замыкания в течение 5 – 10 мкс
  • Максимальная частота переключения: 10 – 50 кГц (серия FL2), 2 – 20 кГц (серия L2)
  • Конструкция транзистора не содержит свинца

Область применения:

  • Инверторы для управления электродвигателями
  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Промышленные схемы коммутации нагрузки
  • Сварочное оборудование

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

IGBT-транзисторы на сайте ON Semiconductor (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Infineon Technologies: StrongIRFET™ — новое семейство MOSFET-транзисторов в корпусе Medium Can DirectFET™ с угловой площадкой затвора
Следующая статья ON Semiconductor: MOSFET-транзисторы нового поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 30 В, 40 В, 60 В и 100 В и низким сопротивлением открытого канала
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Infineon Technolgies: TLD5541-1QV и TLD5190QV — драйверы светодиодов высокой мощности на основе H-мостового DC/DC контроллера напряжения

Время чтения: 6 минут

National Semiconductor: LM2841/2 — понижающий DC/DC-стабилизатор в корпусе Thin SOT-23 с входом до 42В и током нагрузки до 300/600 мА

Время чтения: 2 минут

Toshiba Electronics: TC7USB221 – коммутатор USB 2.0: два переключающих ключа (SPDT) с пропускной способностью до 480 Мбит/сек в миниатюрных корпусах

Время чтения: 2 минут

Freescale Semiconductor: Kinetis KL02 — новое семейство энергоэффективных микроконтроллеров

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?