Данные транзисторы произведены с использованием фирменной технологии ON Semiconductor Trench, специально разработанной для минимизации заряда затвора и достижения сверхнизкого значения сопротивления открытого канала.
Новые MOSFET-транзисторы подходят для приложений, в которых требуется обеспечить низкий заряд затвора для управления силовым ключом и его низкое сопротивление открытого канала. Примерами таких приложений могут служить схемы защиты аккумуляторов и устройства управления электродвигателем.
| MOSFET-транзистор NDPL100N10B |
Отличительные особенности:
- Низкое сопротивление открытого канала
- Низкий заряд затвора
- Высокое быстродействие
- Транзистор полностью прошел испытание на лавинный пробой
- Конструкция прибора не содержит свинца и галоидных соединений (только модели NDBA100N10B и NDBA180N10B) и отвечает требованиям директивы RoHS
Преимущества:
- Повышает КПД за счет снижения потерь проводимости
- Упрощает схему управления затвором и имеет малое время открывания
- Снижает динамическую мощность рассеяния
- Гарантия стойкости к перегрузкам по напряжению
- Бережное отношение к окружающей среде
| Наименование | VDS (В) |
ID (А) |
RDS(ON) (мОм) |
Корпус |
|---|---|---|---|---|
| NDBA100N10B | 100 | 100 | 6.9 | D2PAK |
| NDBA180N10B | 100 | 180 | 2.8 | D2PAK |
| NDPL100N10B | 100 | 100 | 7.2 | TO-220 |
| NDPL180N10B | 100 | 180 | 3.0 | TO-220 |
Область применения:
- Защита аккумуляторов
- Управление двигателями
- Силовые ключи на первичной стороне преобразователей напряжения
- Схемы синхронного выпрямления на вторичной стороне источника питания
- Многоэлементные аккумуляторные ячейки (системы энергоснабжения, двухколёсные транспортные средства с электроприводом и мощные электроинструменты)
- Источники питания
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку