Этот биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) изготовлен по надёжной и эффективной по стоимости технологии Field Stop (FS) Trench.
Прибор обеспечивает высочайшую производительность в требовательных импульсных устройствах, обладая при этом низким остаточным напряжением и малыми потерями на переключение. IGBT-транзистор хорошо подходит для резонансных схем и каскадов с мягким режимом коммутации. Схема транзистора содержит шунтирующий диод с низким падением прямого напряжения.
Преимущества:
- Низкие потери проводимости
- Снижение рассеиваемой мощности системы
| IGBT-транзистор NGTB15N120IHL |
Отличительные особенности:
- Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 1200 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat: 1.8 В (тип.)
- Постоянный ток коллектора IC: 30 А (TC=25°C) / 15 А (TC=100°C)
- Импульсный ток коллектора ICM: 120 А
- Задержка выключения td(off): 165 нс (тип.) (TJ=25°C) / 180 нс (тип.) (TJ=125°C)
- Время выключения tf: 200 нс (тип.) (TJ=25°C) / 260 нс (тип.) (TJ=125°C)
- Прямой ток диода IF: 30 А (TC=25°C) / 15 А (TC=100°C)
- Падение прямого напряжения на диоде VF: 1.4 В
- Рассеиваемая мощность PD: 156 Вт (TC=25°C) / 62.5 Вт (TC=100°C)
- Рабочая температура перехода TJ: -55…+150°C
- Корпус TO-247 без содержания свинца
Область применения:
- Индукционные нагреватели
- Бытовая техника
- Коммутирующие схемы с мягким переключением
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на NGTB15N120IHL (англ.)