NTP8G202N представляет собой каскодный силовой N-канальный MOSFET транзистор из нитрида галлия с напряжением сток-исток 600 В, имеющий остаточное сопротивление открытого канала 290 мОм и выполнен в корпусе TO-220. Аналогичная модель данного прибора — NTP8G206N – обладает остаточным сопротивлением 150 мОм.
Нитрид-галлиевые (GaN) MOSFET транзисторы обеспечивают значительное увеличение производительности для импульсных источников питания и других приложений, для которых высокие значения КПД и плотности мощности являются критическими характеристиками. По сравнению с кремниевыми устройствами, полупроводниковые компоненты на основе нитрида галлия имеют меньшее время переключения и пониженное остаточное сопротивление канала. Их применение делает конечные продукты компактными, лёгкими и исключает использование громоздких систем охлаждения.
При типовом значении сопротивления открытого канала RDS(ON) 290 мОм и 150 мОм, соответственно, новые транзисторы NTP8G202N и NTP8G206N выпускаются в стандартном корпусе TO-220, благодаря чему разработчики смогут их использовать в существующих конструкциях без каких-либо изменений. Оба транзистора сертифицированы по стандарту JEDEC и находятся в стадии массового производства.
| Внутренняя архитектура NTP8G206N |
Отличительные особенности:
- Высокая скорость переключения
- Очень низкий заряд обратного восстановления QRR:
- NTP8G202N: 29 нКл
- NTP8G206N: 53 нКл
- Рабочее напряжение сток-исток: 600 В (максю)
- Постоянный ток стока:
- NTP8G202N: 9 А (TC = 25°C); 6 А (TC = 100°C)
- NTP8G206N: 18 А (TC = 25°C); 12 А (TC = 100°C)
- Мощность рассеивания:
- NTP8G202N: 65 Вт
- NTP8G206N: 97 Вт
- Сопротивление открытого канала:
- NTP8G202N: 290 мОм
- NTP8G206N: 150 мОм
- Рабочая температура перехода: от -40°C до +150°C
- Корпус: TO-220
Область применения:
- Сетевые адаптеры
- Инверторы
- Блоки питания телекоммуникационного оборудования
- Блоки питания серверов
Инструментальные средства:
- Референсная плата NCP1397GANGEVB содержит источник питания напряжением 12 В и с током нагрузки 20 А, выполненный на HEMT-транзисторах на основе нитрида галлия, используемых в качестве силовых ключей. Входной каскад блока преобразует сетевое напряжение в постоянное величиной до 385 В с коэффициентом мощности, близким к единице. Следующий каскад понижает полученное постоянное напряжение до значения 12 В и способен обеспечить нагрузку током до 20 А.
Узел корректора коэффициента мощности выполнен на базе контроллера питания ON Semiconductor NCP1654 с режимом непрерывной проводимости. Следующий за ним каскад понижения напряжения с гальванической развязкой представляет собой схему резонансного преобразователя на основе LLC-структуры, построенного на контроллере ON Semiconductor NCP1397. Режим синхронного выпрямления, повышающий КПД схемы, реализован на микросхеме NCP4304, расположенной на вторичной стороне преобразователя. Для регулировки выходного напряжения используется узел управления NCP432, включённый в цепь обратной связи. HEMT-транзисторы используются в качестве ключей в узле корректора коэффициента мощности и на первичной стороне резонансного LLC-преобразователя.
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на NTP8G202N (англ.)
Документация на NTP8G206N (англ.)