Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Osram Opto Semiconductors: GW CSSRM2.PM — новые эталонные светодиоды третьего поколения серии OSLON® Square для систем наружного освещения
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Osram Opto Semiconductors: GW CSSRM2.PM — новые эталонные светодиоды третьего поколения серии OSLON® Square для систем наружного освещения

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Светодиоды OSLON® square GW CSSRM2.PM разработаны для профессиональных систем наружного освещения с типовым индексом цветопередачи CRI 72.

Светодиоды серии OSLON® Square – самые компактные мощные светодиоды, отличающиеся высокой надежностью, длительным сроком службы и малым тепловым сопротивлением корпуса. Они представляют собой устройства третьего поколения и имеют те же габаритные размеры, что и их предшественники. Улучшенная цветопередача и производительность светодиодов гарантируют высокое значение светового потока в реальных условиях эксплуатации.

Ключевые параметры приборов измерены при высоких рабочих температурах в соответствии с условиями применения. Производители осветительной техники оценят преимущество использования данных продуктов благодаря стабильности их свечения в широком диапазоне температур окружающей среды, низкому тепловому сопротивлению корпуса и длительному сроку службы.

Чертеж корпуса светодиодов Внутренняя архитектура GW CSSRM2.PM

Отличительные особенности:

  • Очень компактный корпус размером 3 мм × 3 мм, позволяющий создавать светодиодные массивы с высокой плотностью монтажа и упрощать схему устройства
  • Типовое значение светового потока при цветовой температуре 5000 K и температуре окружающей среды 85°C: 300 Лм
  • Угол излучения: 120°
  • Индекс цветопередачи (CRI): 70 (мин.), 72 (тип.)
  • Широкий диапазон цветовой температуры: от 3000 K до 6500 K
  • Высокая энергоэффективность: 153 Лм/Вт при цветовой температуре 5000 К и рабочей температуре 85 °C
  • Группировка по цвету свечения (binning) при рабочей температуре 85 °C
  • Очень низкое тепловое сопротивление между корпусом и кристаллом
  • Высокая надежность и долгий срок службы: светодиоды тестировались по методике IESNA LM-80
  • Расширенный диапазон токов управления IF: от 200 мА до 1800 мА

Область применения:

  • Промышленное освещение (нижние и верхние светильники)
  • Наружное освещение
  • Уличное и туннельное освещение
  • Световые дорожки

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на GW CSSRM2.PM (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья NXP: PN5180 — оконечное устройство высокой мощности для беспроводной связи ближнего радиуса действия по технологии Near Field Communication
Следующая статья SIMCOM Wireless Solutions: SIM7100E — многодиапазонный модуль для сетей LTE
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

NXP: BLD6G22L(S)-50 — отлично подходят для применения в составе базовых станций, работающих в стандарте W-CDMA

Время чтения: 2 минут

NXP: 25-/30-вольтовые MOSFET-транзисторы серии NextPower в корпусах LFPAK

Время чтения: 2 минут

Vishay: SiHP065N60E — первый представитель 4-го поколения силовых MOSFET-транзисторов серии E с рабочим напряжением 600 В

Время чтения: 2 минут

STMicroelectronics: STGD3HF60HD — 4.5 А, 600 В высокоскоростной IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом для управления электродвигателями мощностью до 150 Вт

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?