Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: STMicroelectronics: LIS331EB — микроэлектромеханический (MEMS) интеллектуальный датчик: 3-осевой акселерометр с блоком обработки сигналов
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

STMicroelectronics: LIS331EB — микроэлектромеханический (MEMS) интеллектуальный датчик: 3-осевой акселерометр с блоком обработки сигналов

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

LIS331EB — это малопотребляющий высокопроизводительный интеллектуальный датчик, интегрирующий 3-осевой акселерометр и микроконтроллер Cortex-M0, оснащенный 64 Кбайт FLASH и 128 Кбайт SRAM памятью, 8 сдвоенными таймерами, 2 каналами I2C, 1 SPI (master/slave) и 1 UART интерфейсами, в миниатюрном корпусе LGA размером 3 х 3 х 1 мм.

Устройство имеет несколько режимов сверхмалого энергопотребления и интеллектуальную функцию выхода из режима сна. Диапазон измерений и частота выходных данных датчика ускорения задается пользователем при помощи соответствующих регистров. Встроенная схема самотестирования позволяет инженерам проверить работоспособность датчика непосредственно в конечном изделии. Одна из возможных областей применения LIS331EB — концентратор датчиков. Устройство может получать данные от датчика ускорения (встроенного), гироскопа, электронного компаса, датчика давления и других внешних датчиков посредством I2C интерфейса в режиме «ведущий», объединяя их в 9- или 10-осевую систему позиционирования (используя ПО iNemo Engine).

Внутренняя архитектура LIS331EB

Отличительные особенности:

  • Датчик движения
    • Режим сверхмалого энергопотребления: не более 10 мкА
    • Выбираемый диапазон измерения ускорения: ±2g/±4g/±6g/±8g/±16g
    • Частота выходных данных: от 3.125 Гц до 1.6 кГц
    • Разрядность выходных данных: 16 бит
    • Две встроенные машины состояний
    • Встроенная схема самотестирования
    • Стойкость к ударным перегрузкам до 10000 g
  • Блок обработки сигналов
    • 32-битный процессор ARM Cortex-M0 с рабочей частотой до 80 МГц
    • 64 Кбайт FLASH памяти
    • 128 Кбайт SRAM памяти, включая 64 Кбайт с кодом коррекции ошибок (ECC)
    • Порт I2C в режиме «ведущий» (master)
    • Порт I2C в режиме «ведомый» (slave)
    • Порт SPI в режимах «ведущий»/»ведомый»
    • 4-проводной UART
    • 11 программируемых линии ввода/вывода общего назначения
    • Режимы пониженного энергопотребления
    • 8 сдвоенных 32-битных таймера, сторожевой таймер, системный таймер (SysTick)
    • Стандартных 4-проводной отладочный интерфейс JTAG и 2-проводной SWD
    • Встроенные RC генераторы на 80 МГц и на 32 кГц, возможность работы от внешнего тактового сигнала
  • Диапазон рабочих температур: от –40°C до +85°C
  • 16-выводной корпус LGA размером 3 х 3 х 1 мм

Область применения:

  • Системы сбора данных с датчиков
  • Обработка данных с различных типов датчиков
  • Устройства ввода для виртуальной реальности и игровых устройств
  • Системы определения местоположения и дополненной реальности
  • Улучшенная навигация и отслеживание движения
  • Устройства мониторинга вибрации и её компенсации

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на LIS331EB (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья ON Semiconductor: NCV47411 — 2-канальный стабилизатор с малым падением выходного напряжения (LDO) регулируемым в диапазоне от 3.3 В до 20 В, регулируемым ограничителем тока и входами разрешения, совместимыми с 3.3-вольтовыми логическими уровнями
Следующая статья Vishay: VSMY98545 — мощный инфракрасный светодиод с длиной волны излучения 850 нм для поверхностного монтажа
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Analog Devices: ADF5355 — микроволновый широкополосный синтезатор частот до 13.6 ГГц со встроенным генератором, управлеяемым напряжением (VCO)

Время чтения: 3 минут

Дискретные компоненты: динамика цен и сроков поставки за декабрь 2008

Время чтения: 4 минут

AVNET: MiniZed Zynq — оценочная плата для программно конфигурируемых Систем-на-Кристалле семейства Zynq-7000 компании Xilinx

Время чтения: 3 минут

Vishay: SiC779CD — интегральная схема DrMOS с рабочим током 40 А в конфигурации полу-мост

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?