Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: STMicroelectronics: Новые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 с напряжением сток-исток 650 В, выполненные по технологии суперперехода, повышают КПД и надежность конечных решений
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

STMicroelectronics: Новые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 с напряжением сток-исток 650 В, выполненные по технологии суперперехода, повышают КПД и надежность конечных решений

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Новейшие силовые MOSFET-транзисторы компании STMicro соответствуют мировым стандартам по уровню КПД источников питания, применяемых в бытовой электронике, маломощных источниках света и солнечных микроинверторах. При этом устройства поставляются в корпусах новейшей конструкции и повышенной прочности, позволяющих увеличить плотность мощности.

Семейство транзисторов MDmesh M2 является новым словом в технологии суперперехода, отличаясь меньшим сопротивлением открытого канала RDS(ON), по сравнению с предшественниками, более низким зарядом затвора QGD и меньшей входной и выходной ёмкостью (Ciss/Coss). Вместе эти преимущества приводят к снижению потерь энергии и уменьшению тепловыделения, что в свою очередь позволяет увеличить частоту переключения и КПД конечных решений. А увеличенное до 650 В напряжение пробоя сток-исток способствует росту уровня надёжности системы в целом.

В новое семейство также вошли транзисторы, выполненные в компактном, низкопрофильном, высоковольтном корпусе PowerFLAT 5×6 HV, обладающим улучшенными тепловыми характеристиками и рассчитанным на больший рабочий ток. Транзисторы в корпусе PowerFLAT 5×6 HV позволят создавать более компактные и надежные решения с высокой полтностью мощности. Целевой областью применения MOSFET-транзисторов семейства MDmesh M2 являются сетевые адаптеры для ноутбуков, принтеров и игровых консолей, внутренние источники питания телевизоров и мельтимедиа центров, а также схемы управления однорядными светодиодными модулями мощностью от 3 Вт до 25 Вт и более мощными многорядными светодиодными модулями. Транзисторы в корпусе PowerFLAT 5×6 HV станут идеальным выбором для бытовых и промышленных солнечных микроинверторов благодаря своим компактным размерам и высокой эффективности.

На текущий момент семейство MOSFET-транзситоров MDmesh M2 включает 49 устройств с рабочим напряжением 650 В, током стока от 4 А до 49 А и наименьшим сопротивлением открытого канала 0.062 Ом.

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Подробнее о MOSFET-транзисторах семейства MDmesh M2 на сайте STMicroelectronics

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья STMicroelectronics: STTHxxxx — серия новых быстродействующих диодов в сверхтонких корпусах экономят монтажное пространство, снижают вес и энергопотребление электронных устройств автомобильного назначения
Следующая статья STMicroelectronics: STM32F446 — новая серия высокопроизводительных микроконтроллеров STM32 со встроенной памятью небольшого объёма
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

NXP: 25-/30-вольтовые MOSFET-транзисторы серии NextPower в корпусах LFPAK

Время чтения: 2 минут

Fujitsu Semiconductor: MB85RC64V — сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM) объемом 64 Кбит с интерфейсом I2C и диапазоном напряжения питания от 3 В до 5.5 В

Время чтения: 2 минут

Broadcom: BCM53128 — 8-канальный высокоинтегрированный интеллектуальный коммутатор Gigabit Ethernet, выполненный на основе передовой промышленной архитектуры ROBO

Время чтения: 2 минут

Texas Instruments: MSP430G2 — новое семейство Value Line предлагает пользователям 8-битных микроконтроллеров десятикратный рост производительности и времени жизни батареи

Время чтения: 3 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?