Семейство транзисторов STripFET F7 уменьшает количество параллельно включаемых компонентов для достижения необходимой силы тока нагрузки за счёт более низкого сопротивления открытого канала, относительно площади кристалла.
Семейство низковольтных MOSFET-транзисторов STripFET F7 от компании ST обладает улучшенной структурой канал-затвор, позволяющей снизить сопротивление открытого канала, а также внутренние ёмкости и заряд затвора, что в свою очередь приводит к повышению быстродействия прибора и его КПД.
Превосходный показатель добротности (FOM) транзистора и высокая стойкость к лавинному пробою упрощают разработку устройств, уменьшают их размеры и стоимость, а также повышают надёжность конечных систем. Транзистор может использоваться в таких приложениях, как телекоммуникации, вычислительные системы, солнечные инверторы, устройства промышленной автоматики и автомобильные системы.
По сравнению с предыдущими семействами STripFET F4 и F3, в новой серии F7 удалось значительное снизить сопротивления открытого канала по отношению к площади кристалла. Это позволяет разработчикам использовать один транзистор вместо нескольких параллельно включённых приборов для получения необходимого тока нагрузки.
| Внутренняя архитектура STx315N10F7 |
Отличительные особенности:
- Транзистор разработан в соответствии с методикой AEC-Q101 для автомобильных приложений
- Обладает самым низким на рынке сопротивлением открытого канала
- Превосходное значение показателя добротности (Figure Of Merit)
- Низкое отношение емкости обратной связи к входной ёмкости CRSS/CISS, которое формирует высокую стойкость к электромагнитным помехам
- Высокая стойкость к лавинному пробою
Область применения:
- Импульсные устройства автомобильного и промышленного назначения:
- Схемы управления электродвигателем
- Источники питания
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на STH315N10F7 (англ.)