Новый технологический процесс будет использован при производстве новейших 600-вольтовых MOSFET-транзисторов со сверхмалым сопротивлением в открытом состоянии, низкими потерями при переключении и меньшим «звоном».
Применение новой технологии Superjunction (SJ) компании Toshiba при производстве MOSFET-транзисторов для силовой электроники, основанной на разработанной раннее технологии DTMOS-IV, позволит создавать идеальные силовые ключи для основных источников питания, ламповых балластов и других силовых устройств, которые требуют сочетания высокого быстродействия, высокого КПД и низкого уровня электромагнитных излучений. Благодаря тому, что SJ MOSFET-транзисторы имеют сверхнизкое остаточное сопротивление в открытом состоянии по сравнению с кремниевыми приборами, они позволяют уменьшить размеры устройств на их основе, а также увеличить плотность монтажа без потерь мощности.
В результате новый технологический процесс DTMOS-IV компании Toshiba, который будет использован при производстве новейшего семейства быстродействующих, высокоэффективных 600-вольтовых силовых транзисторов, обеспечит создание приборов с уменьшенным на 40% сопротивлением открытого канала по сравнению с предыдущим поколением DTMOS-изделий при одинаковой площади кристалла. Это означает, что у разработчиков теперь есть выбор: либо использовать в своих устройствах 600-вольтовые MOSFET в корпусе TO-220SIS с остаточным сопротивлением всего лишь 0.065 Ом, либо аналогичные приборы в корпусе TO-3P(N) со значением сопротивления не менее 0.04 Ом. Кроме снижения сопротивления открытого канала, в новых DTMOS-IV-транзисторах компания Toshiba сможет минимизировать выходную ёмкость для эффективной работы на светоизлучающие приборы. Более того, специально подобранная ёмкость затвора способствует увеличению скорости нарастания управляющего напряжения dv/dt, а коэффициент качества RDS(ON)*Qg (сопротивление открытого канала х заряд затвора) — высокой эффективности переключения. Наконец, при малом значении соотношения dv/dt новая технология позволит избежать «звона» транзисторов в быстродействующих схемах.
| Пример схемы полу-мостового AC/DC источника питания |
Технология DTMOS-IV использует процесс заполнения глубокой траншеи в результате сужения бокового области суперперехода, что способствует оптимизации общей производительности. Первые MOSFETтранзисторы на основе технологии DTMOS-IV уже доступны в большом разнообразии корпусов: DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220SIS, TO-247, TO-3P(N) и TO-3P(L).
Отличительные особенности:
- Низкое сопротивление открытого канала: RDS(ON) = 0.327 Ом (типовое) при использовании структуры SuperJunction: DTMOS
- Легкое управление затвором
- Улучшенный режим: остаточное напряжение Uth = 2.7…3.7 В (Uси = 10 В, Iс = 0.5 мА)
Область применения:
- Импульсные источники питания
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Веб страница Toshiba по транзисторам серии Super Junction MOSFET DTMOS IV (англ.)