Компания Toshiba Electronics Europe расширила свое семейство IGBT-транзисторов для индукционных печей и других приложений силовых инверторов двумя новыми устройствами GT50JR21 и GT50JR22, рассчитанными на рабочее напряжение до 600 В и ток до 50 А и интегрирующими в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод.
Устройства оптимизированы для применения в индукционных печах и доступны в корпусах TO-3P(N), по размерам аналогичных корпусам TO-247. Данное семейство IGBT-транзисторов отличается высокой допустимой температурой перехода: до 175°C. Значение максимально допустимого постоянного тока устройств 50 А, типовое значение напряжения насыщения при токе 50 А составляет 1.5 В для GT50JR21 и 1.65 В для GT50JR22.
Транзисторы производятся по запатентованной технологии Enhancement-Mode-Technology компании Toshiba, обеспечивающей отличные динамические свойства силовых ключей. Типовое значение времени включения / выключения при токе коллектора 50 А составляет 0.26 мкс / 0.31 мкс для GT50JR21 и 0.25 мкс / 0.37 мкс для GT50JR22. Соответственно, GT50JR21 предназначены для использования на меньших рабочих частотах, а GT50JR22 ориентированы на приложения с более высокой частотой коммутации. Допустимая рассеиваемая мощность устройств составляет 230 Вт при 25ºC.
Предельно допустимые эксплуатационные характеристики GT50JR21 (при температуре окружающей среды 25°C)
| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. измерения | |
|---|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 600 | В | |
| Напряжение затвор-эмиттер | VGES | ±25 | В | |
| Ток коллектора | DC | IC | 50 | А |
| 1 мс | ICP | 100 | ||
| Прямой ток диода | DC | IF | 40 | A |
| (400 мкс) | IFP | 100 | ||
| Рассеиваемая мощность коллектора | при TC=100°C | PC | 76 | Вт |
| при TC=250°C | 192 | |||
| Температура перехода | TJ | +150 | °C | |
| Температура хранения | TSTG | -55…+150 | ||
Отличительные особенности:
- Индуцированный канал
- Высокая скорость переключения: время спада импульса 0.08 мкс (тип. при токе коллектора 50 А)
- Низкое напряжение насыщения: 1.5 В (тип. при токе коллектора 50 А)
- Интегрированные в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод
- Доступны в корпусах TO-3P (N)
Область применения:
- Индукционные печи
- Силовые инверторы
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку