Семейство мощных MOSFET-транзисторов с вертикальными затворами для использования в автомобильных приложениях сочетает преимущества новейшего trench-MOS технологического процесса компании Toshiba с расширенными корпусами DPAK+. Устройства позволяют значительно повысить производительность при одновременном уменьшении размеров печатных плат и снижении уровня шумов в таких автомобильных приложениях, как импульсные стабилизаторы и преобразователи постоянного напряжения, системы управления электроприводами.
В состав семейства включены одиннадцать n – канальных транзисторов с предельно допустимыми рабочими напряжениями 40 В, 60 В и 100 В, а также десять р — канальных устройств с предельно допустимыми рабочими напряжениями -40 В и -60 В. Допустимые токи составляют от ± 8 А до ± 80 А в зависимости от конкретной модели.
Все транзисторы предназначены для работы в автомобильных приложениях в расширенном диапазоне температур до 175°C. Корпуса DPAK+ имеют тот же форм – фактор и расположение выводов, что и стандартные DPAK, однако улучшенная внутренняя конструкция уменьшает сопротивление и тепловые потери и обеспечивает повышение эффективности, токовой нагрузки и надежности по сравнению с DPAK.
Основываясь на проверенной технологии «WARP» компании Toshiba, корпуса DPAK+ используют расширенную медную подложку между кристаллом и корпусом, обеспечивающую лучшую электро- и теплопроводность по сравнению с традиционной алюминиевой. Механизм крепления кристалла обеспечивает высокую надежность механического соединения, способного выдерживать циклические тепловые нагрузки, а также воздействие ударов и вибрации.
Кроме того, увеличенная площадь поперечного сечения подложки в сочетании с более высокой электропроводностью, минимизируют нагрев корпуса из-за тепловых потерь и снижают индуктивность корпуса. Это, в свою очередь, способствует сокращению общего тепловыделения, снижению шумов и повышению быстродействия устройства. Транзисторы отличаются малыми токами утечки и сверхмалыми сопротивлениями каналов в открытом состоянии – типовое значение 2.4 мОм при напряжении затвора 10 В. Типовое значение теплового сопротивления между кристаллом и корпусом составляет 1.5°С / Вт, а рассеиваемой мощности 100 Вт при 25°С.
Отличительные особенности:
- Особенности представителя семейства TJ10S04M3L:
- Малое сопротивление открытого канала: 33.8 мОм (тип.) при напряжении затвора -10 В
- Малый ток утечки: -10 мкА при напряжении сток — исток -40 В
- Режим обогащения: -2.0 .. -3.0 В при напряжении сток — исток -10 В и токе канала -1 мА
Область применения:
- Автомобильные приложения, включая:
- Системы управления двигателями
- Преобразователи постоянного напряжения
- Импульсные стабилизаторы напряжения
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Каталог MOSFET-транзисторов Toshiba (англ.)