Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Toshiba Electronics: TLP2761 — оптрон с низкой потребляемой мощностью и скоростью передачи данных до 15 Мбит/с
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Toshiba Electronics: TLP2761 — оптрон с низкой потребляемой мощностью и скоростью передачи данных до 15 Мбит/с

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 3 минут
Поделиться

Оптрон в очень тонком корпусе сочетает в себе высокую скорость передачи данных до 15 Мбит/с и низкую потребляемую мощность. Устройство выпускается в корпусе SO6L с длиной пути тока утечки и изолирующим зазором 8 мм и максимальным напряжением пробоя изоляции 5000 В (скз.).

Оптрон TLP2761 разработан для использования в таких приложениях, как инверторы, усилители сервоприводов, фотоэлектрические инверторы, инфраструктура промышленных сетей и интерфейсы ввода/вывода. Прибор выпускается в корпусе SO6L высотой 2.3 мм, что на 45% меньше, чем у традиционных корпусов SDIP. Благодаря таким размерам он стимулирует развитие производства компонентов в более тонких и компактных корпусах. Несмотря на малую высоту корпуса, оптрон обладает величиной изолирующего зазора 8 мм, который выдерживает напряжение пробоя не менее 5000 В (скз.), за счёт чего отлично подходит для приложений с высокими требованиями к изоляции.

Применение во входном каскаде оптрона инфракрасного светодиода собственной разработки с высоким световым потоком позволило компании Toshiba снизить порог входного тока срабатывания прибора на 54% по сравнению с традиционными продуктами, такими как TLP2766 в корпусе SDIP6. Максимальное значение этого параметра составляет 1.6 мА, что соответствует входной мощности 6 мВт.

В качестве приёмника излучения инфракрасного светодиода в оптроне используется интегральная схема фотодетектора, выполненная по Bi-CMOS техпроцессу. Это позволило снизить ток потребления устройства на 66% по отношению к TLP2766. При величине этого тока 1.0 мА потребляемая прибором мощность равна 2,1 мВт. Оптрон является представителем класса приборов с gjyb;tyysv напряжением питания, диапазон которого составляет от 2.7 В до 5.5 В. Также устройство способно работать в промышленном диапазоне рабочих температур от –40°C до +125°C.

Внутренняя архитектура TLP2761

Отличительные особенности:

  • Инверторный тип логики работы (двухтактный выходной каскад)
  • Корпус: SO6L
  • Диапазон рабочих температур: от -40°C до 125°C
  • Диапазон напряжения питания: от 2.7 В до 5.5 В
  • Скорость передачи данных: 15 МБод (без возврата к нулю)
  • Пороговое значение входного тока: 1.3 мА при температуре 105°C и 1.6 мА при температуре 125°C
  • Максимальный ток потребления: 1.0 мА
  • Уровень устойчивости к синфазным переходным помехам: не менее ±20 кВ/мкс
  • Минимальное напряжение пробоя изолирующего промежутка: 5000 В (скз.)

Область применения:

  • Промышленные сети
  • Платы интерфейсов ввода/вывода
  • Инверторы
  • Сервоусилители
  • Фотоэлектрические инверторы

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на TLP2761 (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Texas Instruments: LDC1101 — преобразователь индуктивность-цифровой код с высоким разрешением и минимальным напряжением питания 1.8 В
Следующая статья Vishay: VLIN26A1 / VCAN26A2 — однорядные / двухрядные двунаправленные симметричные диоды с низкой ёмкостью перехода для защиты от статических разрядов
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Cypress Semiconductor: S34SL0x — семейство устройств защищенной NAND FLASH памяти объемом 1…4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи для встраиваемых приложений

Время чтения: 2 минут

National Semiconductor: LM5085Q — импульсный понижающий PFET-стабилизатор на 75 В в автомобильном исполнении

Время чтения: 2 минут

IDT: F2970 — широкополосный однополюсный двунаправленный радиочастотный поглощающий переключатель с волновым сопротивлением 75 Ом и рабочим диапазоном частот от 5 Мгц до 3 ГГц, оптимизированный для проводных коммуникаций следующего покления

Время чтения: 3 минут

NXP: TJA1052i — гальванически изолированный высокоскоростной приемопередатчик CAN интерфейса

Время чтения: 4 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?