Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Toshiba Electronics: TLP708 — высокоскоростной оптрон с максимальным временем коммутации всего 75 нс
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Toshiba Electronics: TLP708 — высокоскоростной оптрон с максимальным временем коммутации всего 75 нс

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Эти сверхкомпактные, высокоскоростные инвертирующие оптроны отличаются расширенным рабочим диапазоном температур и усиленной изоляцией, отвечающей нормам международных стандартов безопасности.

TLP708 идеально подходит для применения в бытовой электронике, оборудовании индукционного нагрева, промышленной автоматике и других приложениях, где необходимы высокий уровень изоляции и надежная работа в условиях экстремальных температур. Рабочие характеристики оптронов гарантированы в диапазоне температур -40…+125°C.

Схема устройства состоит из GaAlAs светодиода, оптически связанного с интегрированным, высокоскоростным фотодетектором с высоким коэффициентом усиления. TLP708 поставляется в 6-выводном корпусе SDIP (усеченный DIP), занимающим всего половину посадочного места по сравнению с аналогичными устройствами в 8-выводных DIP корпусах. Несмотря на свои малые размеры, оптрон поддерживает напряжение изоляции не менее 5000 В.

Новые оптопары компании Toshiba отличаются временем коммутации, не превышающим 75 нс, обеспечивая скорость передачи данных до 15 Мбит/с. Интегрированный фотодетектор имеет выходной каскад с открытым коллектором и внутренний щит Фарадея, гарантирующий стойкость к синфазным сигналам на уровне ±15 кВ/мкс. Размеры TLP708 составляют 9.7 х 4.6 х 4.0 мм. Наряду со стандартным исполнением, Toshiba предлагает версию устройства с увеличенными путем тока утечки и электрическим зазором с посадочными размерами 11.7 х 4.6 мм.

Внутренняя архитектура TLP708

Отличительные особенности:

  • Входной пороговый ток: IFHL = 5 мА
  • Время коммутации (tpLH/tpHL): 75 нс (макс.)
  • Скорость передачи данных: 15 Мбит/с (тип.)
  • Гарантированные рабочие характеристики в диапазоне температур: -40…+125°C
  • Напряжение питания: 4.5…5.5 В
  • Подавление синфазных сигналов (CMR): ±15 кВ/мкс
  • Напряжение изоляции: 5000 В (мин.)

 

Данная продукция сертифицирована по системе BAT (Best Accessible Technology).

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на TLP708 и TLP708F (англ.)

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Toshiba Electronics: TLP209x — оптроны с аналоговым входом, скоростью до 5 Мбит/с и напряжением изоляции 3750 В
Следующая статья National Semiconductor: LM25011 — 42 В, 2 А импульсный стабилизатор с регулируемым порогом ограничения тока
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Lumotech: L05060 — светодиодный источник питания серии ECOline

Время чтения: 3 минут

Avago Technology: ADNS-3050 — оптический датчик перемещения начального уровня для игровых приложений

Время чтения: 2 минут

IDT: 5P49V59xx — новые тактовые генераторы семейства VersaClock 5

Время чтения: 3 минут

Vishay: новые N-канальные MOSFET транзисторы с рабочим напряжением 600 В и 650 В, рабочими токами 7..77 А и ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии, выполненные по технологии Super Junction

Время чтения: 4 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?