Низковольтные MOSFET-транзисторы нового поколения от компании Toshiba демонстрируют самые низкие показатели потерь мощности при очень хорошем соотношении цена-производительность.
Транзисторы нового поколения также обладают лучшими электрическими характеристиками и, учитывая высокий показатель добротности (FOM) RDS(ON) x QG и расширенные производственные возможности Toshiba, способны удовлетворить любые требования заказчика. Устройства поставляются в 8-выводном корпусе для поверхностного монтажа DSOP размером 5 мм x 6 мм с металлическим радиатором для эффективного отвода тепла.
Благодаря применению технологии формирования проводящего канала U-MOS удалось достичь наилучшего соотношения сопротивления открытого канала и выходного заряда RDS(ON) x QOSS. Так, транзистор TPHR8504PL с напряжением сток-исток 40 В имеет сопротивление RDS(ON) не более 0.7 мОм (при максимальном значении 0.85 мОм) и типовую величину выходной ёмкости (COSS) 1930 пФ.
Областями применения восьмого и девятого поколений транзисторов семейства U-MOS являются преобразователи постоянного напряжения, синхронные выпрямители и другие схемы управления питанием, основными требованиями к которым служат малое энергопотребление, высокая рабочая частота и малая площадь монтажа.
Отличительные особенности:
- Очень низкие значения сопротивления открытого канала RDS(ON) от менее 1 мОм (VDS = 40/50/75 В) до 100 мОм (VDS = 250 В)
- Низкое значение выходного заряда QOSS
- Компактный корпус DSOP-8 с превосходными тепловыми параметрами
Область применения:
- Телевизоры
- Телевизионные приставки
- Солнечные инверторы
- Системы освещения
- Бытовая техника
- Сварочные аппараты
- Зарядные устройства
- Вентиляторы
- Источники бесперебойного питания
- Приводы
- Источники питания
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Каталог: MOSFET-транзисторы Toshiba Electronics (2.5 МБ) (англ.)
Подробнее о новых низковольтных MOSFET-транзисторах на сайте Toshiba (англ.)