Компания Vishay объявила о выпуске новой серии высоковольтных n-канальных MOSFET транзисторов с рабочим напряжением 600 В и 650 В, рассчитанных на широкий диапазон токов от 7 А до 77 А (в зависимости от типа транзистора), отличающихся ультранизким сопротивлением канала в открытом состоянии (от 36 мОм до 600 мОм при напряжении на затворе10 В).
Созданные на основе технологии Vishay следующего поколения Super Junction, представленные транзисторы серии E отличаются сверхнизким зарядом затвора и малым временем включения, что является основными показателями качества MOSFET транзисторов, используемых в преобразователях энергии. Благодаря использованию новой технологии, сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30% по сравнению с устройствами предыдущего поколения серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Благодаря малым входным емкостям новых устройств также снижены потери мощности в цепи управления затвором.
Транзисторы, рассчитанные на ток 22 А и 30 А, доступны в корпусах TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247 и TO-263 (D2PAK). Кроме того, устройства, рассчитанные на ток 47 А с сопротивлением канала в открытом состоянии 64 мОм при напряжении на затворе 10 В доступны в корпусах TO-247, а устройства на ток 24 А и рабочее напряжение 650 В с сопротивлением канала в открытом состоянии 150 мОм доступны в корпусах TO-220, TO-263 (D2PAK) и TO-247.
Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии транзисторов серии Е обеспечивает малые потери проводимости и переключения, позволяя экономить энергию в мощных, высокопроизводительных ключевых приложениях, включая корректоры коэффициента мощности, источники питания серверов и телекоммуникационных систем, сварочное оборудование, устройства плазменной резки, зарядные устройства, газоразрядные лампы высокой интенсивности, балласты флуоресцентных ламп, оборудование полупроводниковых производств, инверторы для солнечных батарей и индукционные печи.
Конструкция транзисторов позволяет выдерживать значительные импульсные перегрузки в лавинном и ключевом режимах что гарантируется 100% тестированием всех устройств на лавинный пробой.
В состав представленной серии высоковольтных транзисторов входят следующие устройства:
| Наименование | VDS (В) |
ID (А) |
RDS(ON) при VGS=10В (Ом) |
QG нК |
PD (Вт) |
Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHB12N60E-GE3 | 650 | 12 | 0.38 | 58 | 147 | D2PAK TO-263 |
| SiHF12N60E-GE3 | 33 | TO-220 FULLPAK | ||||
| SIHP12N60E-GE3 | 147 | TO-220AB | ||||
| SIHB15N60E-GE3 | 15 | 0.28 | 76 | 180 | D2PAK TO-263 |
|
| SiHF15N60E-GE3 | 34 | TO-220 FULLPAK | ||||
| SIHP15N60E-GE3 | 180 | TO-220AB | ||||
| SiHB22N60E-GE3 | 21 | 0.18 | 86 | 227 | D2PAK TO-263 |
|
| SiHF22N60E-GE3 | 35 | TO-220 FULLPAK | ||||
| SiHG22N60E-GE3 | 227 | TO-247AC | ||||
| SiHP22N60E-GE3 | 227 | TO-220AB | ||||
| SiHB24N65E-GE3 | 700 | 24 | 0.145 | 122 | 250 | D2PAK TO-263 |
| SiHG24N65E-GE3 | 250 | TO-247AC | ||||
| SiHP24N65E-GE3 | 250 | TO-220AB | ||||
| SiHB30N60E-GE3 | 650 | 29 | 0.125 | 130 | 250 | D2PAK TO-263 |
| SiHF30N60E-GE3 | 37 | TO-220 FULLPAK | ||||
| SiHG30N60E-GE3 | 250 | TO-247AC | ||||
| SiHP30N60E-GE3 | 250 | TO-220AB | ||||
| SiHG47N60E-GE3 | 47 | 0.064 | 220 | 357 | TO-247AC | |
| SiHG73N60E-GE3 | 73 | 0.039 | 362 | 520 | TO-247AC |
Отличительные особенности:
- Высокий коэффициент качества (FOM), низкое значение RDS(ON) x QG
- Малая входная емкость
- Малые потери коммутации и проводимости
- Сверхнизкий заряд затвора
- Способны работать в лавинном режиме
- Соответствуют требованиям директивы RoHS 2002/95/EC
Область применения:
- Корректоры коэффициента мощности
- Источники питания серверов и телекоммуникационных систем
- Сварочное оборудование, устройства плазменной резки
- Зарядные устройства
- Газоразрядные лампы высокой интенсивности
- Балласты флуоресцентных ламп
- Инверторы для солнечных батарей
- Индукционные печи
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку