Vishay: SiR626DP — лучший в своем классе устройств MOSFET-транзистор в корпусе PowerPAK® SO8 с напряжением сток-исток 60 В и остаточным сопротивлением канала 1.7 мОм

Прибор повышает эффективность и производительность схем коммутации за счет повышенной плотности мощности и выходного тока при минимальном количестве вносимых изменении. SiR626DP идеально подходит для приложений высокой выходной мощности: синхронных выпрямителей, систем с напряжением питания 24 В, схем управления двигателями, преобразователей постоянного напряжения и солнечных микроинверторов.

Отличительные особенности:

• Превосходное соотношение остаточного сопротивления и проходной емкости C_OSS
• Сниженное на 40% по сравнению с транзисторами предыдущего поколения остаточное сопротивление канала
• Сниженные потери проводимости
• Обладает тем же значением остаточного сопротивления при уменьшенных на 80% размерах корпуса по сравнению с приборами предыдущего поколения
• Оптимизированные тепловые переходы внутри корпуса транзистора снижают общее тепловое сопротивление на 66%
• Максимальная производительность, доступная для кремниевой технологии, которая обеспечивает низкие потери проводимости и рабочую температуру

Рабочие характеристики:

• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Сопротивление открытого канала R_DS(ON):
  • 1.7 мОм при V_GS = 10 В
  • 2.0 мОм при V_GS = 7.5 В
  • 2.6 мОм при V_GS = 6 В
• Заряд затвора Q_G: 52 нКл (тип.)
• Максимальный ток стока I_D: 100 А
• Диапазон рабочих температур перехода T_J: от -55°С до +150°С
• 8-выводной корпус PowerPAK® SO-8

Область применения:

• Синхронные выпрямители
• Системы с напряжением питания 24 В
• Схемы управления электродвигателями
• Преобразователи постоянного напряжения
• Солнечные микроинверторы
• Мощные инструменты и промышленное оборудование

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на SiR626DP (англ.)