Vishay: SiR880DP — новый силовой MOSFET-транзистор с напряжением пробоя 80 В, выполненный по технологии ThunderFET™, является первым в отрасли с сопротивлением открытого канала 8.5 мОм при напряжении затвора 4.5 В

Первый силовой MOSFET-транзистор, выполненный по технологии ThunderFET^TM, направленной на снижение сопротивления открытого канала оптимизирован под использование в составе высоковольтных устройств. Новый ThunderFET^TM-транзистор SiR880DP является первым силовым MOSFET-транзистором класса 80 В с сопротивления открытого канала, регламентируемым для сигналов управления затвором уровнями 4.5 В. Транзистор выполнен в корпусе PowerPAK® SO-8 и обладает ультранизким сопротивления открытого канала.

SiR880DP оптимизирован для применений в качестве высоковольтного ключа в составе изолированных DC/DC преобразователей для дистанционного питания телекоммуникационных узлов. Очень низкое сопротивление открытого канала обуславливает возможность получение более экологичных и энергосберегающих решений, особенно в условиях небольшой нагрузки, таких как, например, в дежурном режиме. Возможность работы с уровнями управления 4.5 В благоприятна для высокочастотных применений ввиду существенно меньших потерь мощности на управление затвором, особенно в приложениях организации питания через локальную сеть (POL, Power Over LAN) где традиционно используются низковольтные и соответственно дешевые микросхемы 5 В ШИМ-конверторов. До сегодняшнего дня параметры сопротивления открытого канала для MOSFET-транзисторов приводились только для управляющих затворных напряжений уровнями 6 В или выше.

Отличительные особенности

• Выполнены по новой технологии ThunderFET^TM с малым сопротивлением открытого канала R_DS(ON)
• Наименьшее значение R_DS(ON) 8.5 мОм, при V_GS = 4.5 В
• Пониженное энергопотребление
• Наименьшие потери при напряжении затвор-исток V_GS = 4.5 В
• Позволяет использовать низковольтные, недорогие 5-вольтовые широтно-импульсные модуляторы
• Низкое значение произведения сопротивления открытого канала на заряд затвора, равное 161 нКл-мОм при V_GS = 4.5 В
• Не содержит галогенов в соответствии с требованиями IEC 61249-2-21
• Соответствует требованиям RoHS
• Доступен в корпусе PowerPAK® SO-8

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

Документация на SiR880DP (англ.)