Компания Vishay Intertechnology представила первое семейство 30-вольтовых силовых N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по вертикальной технологии нового поколения TrenchFET® Gen IV. Использование новой структуры кристалла с высокой плотностью компоновки ячеек обеспечивает SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN лучший в отрасли показатель сопротивления открытого канала: не более 1.35 мОм при напряжении на затворе 4.5 В, а также низкий общий заряд затвора (до 1.8 нКл). Транзисторы доступны в корпусах PowerPAK® SO-8 и 1212-8.
Инновационные решения, использованные при разработке технологии TrenchFET, основываются на множестве патентов, включая фундаментальные технологические патенты, зарегистрированные в начале 1980-х годов.
Каждое новое поколение технологии TrenchFET выводит на рынок продукты, поднимающие планку эксплуатационных характеристик силовых MOSFET-транзисторов, используемых в широком спектре устройств, таких как компьютеры, коммуникационные системы, потребительская электроника и многие другие приложения. Семейство силовых 30 — вольтовых N-канальных MOSFET-транзисторов, выполненных по технологии следующего поколения компании Vishay TrenchFET® Gen IV, сочетает ряд технологических улучшений в структуре кристалла, технологии обработки пластин и упаковки кристаллов в корпуса, обеспечивая разработчиков современных систем силовой электроники рядом преимуществ, являющихся следствием существенного улучшения характеристик транзисторов. Обеспечивая сокращение площади активной области кристалла более чем на 60% по сравнению с предыдущим поколением устройств, четвертое поколение технологии TrenchFET позволяет создавать транзисторы с лучшим в отрасли показателем сопротивления открытого канала, добиваясь снижения энергопотребления и повышения эффективности. Технология TrenchFET® Gen IV предлагает новую структуру кристалла, отличающуюся повышенной плотностью компоновки без существенного увеличения заряда затвора, позволяя преодолеть проблемы структур, построенных с использованием большого количества элементарных ячеек. Представленные транзисторы отличаются малым полным зарядом затвора, и, следовательно, низким произведением сопротивления открытого канала на заряд затвора, что является ключевым показателем качества MOSFET-транзисторов.
| Показатель | Обозначение | Наименование | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SiRA00DP | SiRA02DP | SiRA04DP | SiSA00DN | |||
| Напряжение сток-исток | VDS (В) | 30 | 30 | 30 | 30 | |
| Напряжение затвор-исток | VGS (В) | 20 | 20 | 20 | 20 | |
| Сопротивление открытого канала (макс.) |
RDS(ON) (мОм) |
VGS=10 В | 1.00 | 2.00 | 2.15 | 2.15 |
| VGS=4.5 В | 1.35 | 2.70 | 3.10 | 3.10 | ||
| Полный заряд затвора | QG (нК) | VGS=4.5 В | 66.0 | 34.3 | 22.5 | 22.5 |
| Заряд затвор–исток | QGS (нК) | 26.0 | 13.6 | 8.6 | 8.6 | |
| Заряд затвор–сток | QGD (нК) | 8.6 | 4.1 | 4.0 | 4.0 | |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® 1212-8 | ||||
Отличительные особенности:
- Чрезвычайно малое сопротивление канала в открытом состоянии: 1.0 мОм при напряжении затвора 10 В и 1.35 мОм при напряжении затвора 4.5 В (лучший в отрасли показатель)
- Уменьшенные потери проводимости обеспечивают снижение потребления энергии и повышение эффективности
- Высокий коэффициент качества (FOM), определяемый малым значением произведения сопротивления открытого канала на заряд затвора (56 нКл*Ом при напряжении затвора 4.5 В)
- Доступны в корпусах PowerPAK® SO-8 размером 6.15 мм х 5.15 мм, обеспечивающих повышение эффективности и улучшение охлаждения транзистора, и PowerPAK® 1212-8 размером 3.30 мм х 3.30 мм, обеспечивающих минимизацию размеров приложения
- Низкое отношение заряда затвор – сток к заряду затвор – исток (Qgd/Qgs): не более 0.5
- Повышенная устойчивость к лавинному пробою за счет снижения индуцированного напряжения затвора
- 100% тестирование всех устройств на сопротивление затвора (Rg) и процесс выключения при индуктивной нагрузке (UIS)
- Не содержат галогенов в соответствии с требованиями IEC 61249-2-21
- Соответствуют требованиям RoHS
Область применения:
- DC/DC преобразователи с высокой удельной мощностью, синхронные выпрямители, синхронные регуляторы напряжения, приложения с суммированием мощности от нескольких источников питания (OR-ing)
- Импульсные источники питания, модули регулировки напряжения (VRM), преобразователи напряжения в точке приложения нагрузки (POL), телекоммуникационные приложения, персональные компьютеры и серверы
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Документация на SiRA00DP (англ.)
Документация на SiRA02DP (англ.)
Документация на SiRA04DP (англ.)
Документация на SiSA02DN (англ.)