Компания Fairchild представляет новое семейство быстродействующих FET-транзисторов с рабочей температурой до 175°C и низким сопротивлением открытого канала, доступных в корпусах размером 3 мм x 3 мм и 5 мм x 6 мм.
Новые MOSFET-транзисторы от компании Fairchild с максимальной рабочей температурой до 175°C идеально подходят для устройств, функционирующих в условиях высоких температур, перегрузок по току, а также для приложений с длительным сроком службы и высокой надёжностью. Семейство включает в себя 19 устройств: 6 в корпусе Power33, 7 в корпусе Power56 и 6 в корпусе TOLL с напряжением сток-исток 30 В, 40 В, 60 В, 80 В, 100 В, 120 В и 150 В. Приложения, в которых используются данные приборы, имеют высокие показатели наработки на отказ при работе в условиях повышенных температур.
Благодаря более высоким допустимым рабочим температурам, увеличивается надёжность всей системы, которая выражается в превосходном показателе наработки на отказ.
Ряд стандартов, как например IPC-9592, требует учитывать возможное ухудшение рабочих параметров устройств при эксплуатации в условиях повышенных температур. По сравнению с устройствами, рассчитанными на максимальную рабочую температуру 125°C, новые высокотемпературные MOSFET транзисторы обеспечивают работу на номинальных параметрах при более высоких температурах, отвечая при этом требованиям спецификации стандарта IPC-9592. Иными словами, при прочих равных условиях, новые транзисторы смогут обеспечить больший ток нагрузки. В свою очередь, это позволит увеличить плотность мощности системы, что является критически важным критерием для большинства схем источником питания.
Новые MOSFET-транзисторы семейства PowerTrench® выполнены по технологии с экранированным затвором, позволяющей достичь невероятно низкого сопротивления открытого канала RDS(ON) и высокого быстродействия. Крутизна характеристики встроенного обратного диода при переключении транзистора ограничена внутренней демпфирующей схемой. Кроме того, этот диод обладает малым временем обратного восстановления, что снижает уровень паразитных искажений и электромагнитных помех, приводя к росту надёжности системы.
Отличительные особенности:
- Максимально допустимая рабочая температура перехода +175°C
- Обладают на 10-85% большей плотностью мощности при соответствии требованиям стандарта IPC-9592
- Самое низкое значение сопротивления открытого канала RDS(ON) и лучший показатель добротности FOM, повышающие КПД прибора
- Увеличенная в три раза наработка на отказ
- Сниженная в три раза интенсивность отказов
Область применения:
- Киловаттные источники питания
- Солнечные инверторы
- Мощные электроинструменты
- Авиационные приборы
- Вилочные погрузчики, поезда и сельскохозяйственное оборудование
- Сетевые источники питания малого форм-фактора
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Подробнее о высокотемпературных MOSFET-транзисторах на сайте Fairchild (англ.)