В транзисторах семейства SuperFET® II используется технология балансировки заряда для получения низкого значения сопротивления открытого канала и малой величины заряда затвора.
Новые MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток 800 В от компании Fairchild обладают самым низким значением заряда затвора, обеспечивающим малое сопротивление открытого канала RDS(ON) и накопленную выходную энергию. Семейство включает 26 приборов с сопротивлением открытого канала от 60 мОм в корпусе TO-247 (находится в стадии разработки) до 400 мОм в корпусе TO-220F, а также до 4.3 Ом в корпусе IPAK. Улучшенный на 40% показатель добротности (Figure of Merit — FOM) способствует росту общего КПД системы и снижению тепловыделения, что значительно упрощает проектирование системы охлаждения для схем с высокой плотностью мощности.
MOSFET-транзисторы являются очень надёжными приборами, обладая высокой скоростью нарастания выходного напряжения (100 В/нс для FCPF650N80Z), высоким значением dV/dt встроенного шунтирующего диода (200 А/мкс для FCPF650N80Z) и стойкостью к лавинному пробою. Обратный шунтирующий диод имеет малое время обратного восстановления и больший прямой ток по сравнению с конкурирующими продуктами. Лучшие в своём классе по уровню надёжности транзисторы семейства SuperFET II с напряжением сток-исток 800 В, отличаются высоким КПД и превосходными тепловыми характеристиками, являясь идеальным выбором для широкого спектра приложений. Выпускаемые в различных корпусах, новые транзисторы предоставляют разработчикам большую гибкость при проектировании, особенно устройств с ограниченными габаритами. Основными сферами применения приборов являются системы светодиодного освещение, бытовые аудио системы, сетевые адаптеры, серверы, промышленные источники основного и резервного питания, а также солнечные инверторы.
| Сравнительный анализ эффективности применения различных MOSFET-транзисторов в однокаскадной обратноходовой схеме AC/DC преобразователя светодиодного драйвера |
Отличительные особенности:
- Высокий показатель добротности (FOM): заряд затвор-сток QGD = 11 нКл (при сопротивлении открытого канала 650 мОм)
- Низкое значение общего заряда затвора: QG = 27 нКл (при сопротивлении открытого канала 650 мОм)
- Низкое значение накопленной энергии EOSS: 2.8 мкДж при напряжении сток-исток 400 В и сопротивлении открытого канала 650 мОм
- Превосходные характеристики встроенного шунтирующего диода: время обратного восстановления tRR = 365 нс, заряд обратного восстановления QRR = 5.9 мкКл, максимальное прямое напряжение VF(MAX) = 1.2 В
- Высокая скорость нарастания выходного напряжения: более 100 В/нс
- Высокая скорость нарастания тока через диод: более 200 А/мкс
- Встроенный стабилитрон в цепи затвора для высокой стойкости к статическим разрядам
Область применения:
- Светодиодное освещение
- Солнечные инверторы
- Промышленные источники питания
- Автоматизация предприятий
- Интеллектуальные приборы учета
- Бытовые и профессиональные аудиосистемы
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
MOSFET-транзисторы SuperFET® II на сайте Fairchild (англ.)