Все о платах
  • Микроконтроллеры
Статья: Freescale Semiconductor: MRFE6VP61K25H/N — сверхнадежный радиочастотный LDMOS-транзистор мощностью 1250 Вт с напряжением сток-исток 50 В и рабочим диапазоном частот от 1 МГц до 600 МГц
Share
Подписаться
Все о платахВсе о платах
Font ResizerAa
Поиск...
Follow US
Copyright © 2010-2026
Микроконтроллеры

Freescale Semiconductor: MRFE6VP61K25H/N — сверхнадежный радиочастотный LDMOS-транзистор мощностью 1250 Вт с напряжением сток-исток 50 В и рабочим диапазоном частот от 1 МГц до 600 МГц

Обновлено: 26.01.2026
Время чтения: 2 минут
Поделиться

Новые LDMOS-транзисторы от компании Freescale предназначены для вновь создаваемых приложений и могут увеличивать надёжность и характеристики уже существующих систем.

Компания Freescale расширила линейку мощных LDMOS-транзисторов для использования в диапазоне частот до 2000 МГц. MRFE6VP61K25H/N представляет собой высоконадёжный компонент, разработанный для применения в промышленных системах с высоким коэффициентом стоячей волны по напряжению (VSWR) – лазерах и возбудителях плазмы, радиовещании – аналоговом и цифровом, аэрокосмической отрасли и системах наземной мобильной связи. Благодаря несогласованности входной и выходной цепи, транзистор может работать в широком диапазоне частот – от 1.8 МГц до 600 МГц.

Отличительные особенности:

  • Выходная мощность: 1250 Вт при амплитудной модуляции в точке децибельной компрессии (P1dB) и напряжении сток-исток 50 В
  • Диапазон рабочих частот: от 1 МГц до 600 МГц при несогласованной входной и выходной цепи
  • Доступные корпуса: керамический NI-1230 (MRFE6VP61K25H) или пластиковый OM-1230 (MRFE6VP61K25N)
  • Схема применения: двухтактные схемы, используемые в несимметричном режиме
  • Чрезвычайно высокая устойчивость: коэффициент стоячей волны по напряжению 65:1
  • Включен в программу долгосрочного обслуживания Freescale: до 2025 г.
  • Рекомендуемая модель драйвера: MRFE6VS25N (25 Вт)

Область применения:

  • Источники лазерного излучения
  • Плазменная гравировка
  • ЧМ-радиовещание
  • Телевизионное вещание диапазона ОВЧ
  • Синхротроны
  • Любительские радиостанции
  • Низкочастотные радары
  • Магнитно-резонансная томография (MRI)
  • Медицинское оборудование
  • Плазменное освещение

 

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку

 

Документация на MRFE6VP61K25N (англ.)

Документация на MRFE6VP61K25H (англ.)

 

Sign Up For Daily Newsletter

Be keep up! Get the latest breaking news delivered straight to your inbox.
[mc4wp_form]
By signing up, you agree to our Terms of Use and acknowledge the data practices in our Privacy Policy. You may unsubscribe at any time.
Поделиться статьей
Facebook Скопировать ссылку Печать
Предыдущая статья Fairchild Semiconductor: Новое семейство высоковольтных MOSFET-транзисторов SuperFET® II с напряжением сток-исток 800 В, выполненных по технологии Суперперехода
Следующая статья IDT: 5PB11xx — буферы тактового сигнала со сверхмалым значением джиттера, выполненные на основе низковольтной КМОП-технологии (LVCMOS)
VkontakteFollow
TelegramFollow
Самые популярные
Texas Instruments: OPA317 — операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля и входными/выходными сигналами, равными напряжению питания (Rail-to-Rail)
26.01.2026
Osram Opto Semiconductors: SOLERIQ S 13 — новые светодиоды с легкостью задают новые стандарты
26.01.2026
NXP: KMZ60 — прецизионный датчик магнитного поля для угловых измерений
26.01.2026
Infineon Technologies: IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
26.01.2026
connectBlue: OBS418 и OBS419 — новые Bluetooth модули в качестве прекрасной замены снятым с производства OBS410 и OBS411
26.01.2026

You Might Also Like

Sensata Technologies: Высокоэффективные решения для тепловых насосов

Время чтения: 3 минут

IDT: 5P1103, 5P1105 — новые универсальные конфигурируемые буферы с функцией разветвления выходов обладают высокой производительностью и гибкостью применения

Время чтения: 3 минут

STMicroelectronics: LPS33HW — пьезорезистивный датчик абсолютного давления с диапазоном измерений от 260 гПа до 1260 гПа и цифровым выходом, выпускаемый в водонепроницаемом корпусе

Время чтения: 2 минут

ON Semiconductor: NCS21x — cемейство операционных усилителей с нулевым дрейфом напряжения смещения

Время чтения: 2 минут
ebvnews.ru
Welcome Back!

Sign in to your account

Username or Email Address
Пароль

Lost your password?