Революционное семейство силовых транзисторов CoolMOS™ задает новые стандарты энергоэффективности
Технологический лидер среди высоковольтных MOSFET-транзисторов, семейство CoolMOS™ позволяет значительно снизить потери на переключение и электропроводность, увеличить плотность мощности и КПД в высокопроизводительных системах преобразования энергии.
CoolMOS™ — история развития
Инновационная технология CoolMOS™ разрабатывалась для приложений, отвечающих всем современным требованиям по энергоэффективности и уровню энергопотребления в дежурном режиме. Так например, транзисторы CoolMOS™ используется в системах освещения и преобразователях солнечной энергии ведущих производителей, где требования по энергоэффективности являются одними из ключевых.
Являясь лучшим семейством устройств среди высоковольтных MOSFET-транзисторов, транзисторы CoolMOS™ позволяют значительно снизить потери на переключение и электропроводность, увеличить плотность мощности и КПД в высокопроизводительных системах преобразования энергии. Особенно это заметно на примере последних поколений высоковольтных силовых MOSFET-транзисторов, благодаря которым источники питания типа AC/DC стали более компактными и легкими, снизили выделение тепла и повысили свой КПД. Всё это было достигнуто за счёт самого низкого сопротивления открытого канала ключа, большей скорости его переключения и наименьшим требованиям к схеме управления затвором среди всех коммерчески доступных силовых MOSFET-транзисторов.
| Дорожная карта семейства CoolMOS™ |
Новейшие серии MOSFET-транзисторов CoolMOS™ от Infineon — устанавливают новые стандарты энергоэффективности
- 650V CoolMOS™ C7 — самая высокая в мире производительность
- 600V CoolMOS™ P6 — баланс между эффективностью и простотой применения
- 500V CoolMOS™ CE — лучшая в отрасли технология суперперехода
- 600/650V CoolMOS™ C6/E6 — новое поколение устройств на смену серии C3
- 650V CoolMOS™ CFDA — автомобильные технологии на поул-позиции
Область применения:
- Сетевые адаптеры
- Потребительская электроника
- Блоки питания ПК и серверов
- Телекоммуникационное оборудование
- Солнечная энергетика
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Системы освещения (лампы мощного разряда (HiD), компактные люминесцентные лампы (CFL) и светодиоды)
- Автомобильная электроника
Технология CoolMOS™
- Открытое состояние: снижение сопротивления эпитаксиального слоя за счёт высоколегированных колонок n-типа
- Повышенный уровень легирования в n-области стока приводит к снижению остаточного сопротивления канала RDS(ON)
- Закрытое состояние: компенсация дополнительного заряда в смежных p-колонках
- Половину активной площади кристалла занимают p-колонки
- Во время закрытого состояния p-колонка компенсирует заряд смежной n-колонки, в результате чего высокое напряжение пробоя в определённой области сопротивления открытого канала ниже кремниевого порога
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку