Infineon Technologies: MOSFET-транзисторы с напряжением сток-исток 100 В, выполненные по технологии OptiMOS™

Самое низкое значение сопротивления открытого канала, высокая плотность мощности и КПД

Данные MOSFET-транзисторы являются низковольтными мощными приборами с сопротивлением открытого канала до 2 мОм, выпускаемыми в безвыводных корпусах TO и выводных корпусах TO-220.

Обладая улучшенной на 30% добротностью (Q_G x R_DS(ON)) и превосходными характеристиками переключения, данное семейство MOSFET-транзисторов обеспечивает высокую плотность мощности и КПД системы, особенно при использовании в легких транспортных средствах на электрической тяге, где требуется продолжительное время работы от аккумулятора, увеличение срока его службы и уменьшение времени его зарядки. Технология OptiMOS™ является наилучшим решением для миниатюризации систем, так как позволяет достичь высоких значений КПД при компактных размерах транзистора.

Отличительные особенности:

• Превосходные характеристики переключения
• Самое низкое в мире сопротивление открытого канала R_DS(ON)
• Очень низкое значение заряда затвора Q_G и Q_GD
• Улучшенное на 30% значение добротности (Q_G x R_DS(ON))

Преимущества:

• Высочайшая плотность мощности
• Уменьшение необходимого количества параллельно включаемых транзисторов для увеличения нагрузочного тока
• Самая малая монтажная площадь
• Лёгко применимый для проектирования продукт

Область применения:

• AC/DC инверторы
• Местная вытяжная вентиляция (LEV)
• Адаптеры питания
• Потребительская электроника
• Преобразователи постоянного напряжения
• Схемы управления двигателем
• Мощные инструменты
• Импульсные источники питания
• Солнечная энергетика
• Телекоммуникации

Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку