Новое поколение IGBT-транзисторов с высоким КПД и надёжностью для индукционных печей.
Новейшее поколение IGBT-транзисторов с обратной проводимостью от компании Infineon оптимизировано для соответствия требованиям, предъявляемым к индукционным печам. Среди моделй семейства RC-H5 разработчики смогут выбрать приборы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 1200 В и 1350 В, а также получить преимущества высокого КПД и надёжности без удорожания конечного продукта. Транзисторы с рабочим напряжением 1200 В и 1350 В предназначены для использования в однотактных схемах источников питания индукционных печей. Они обладают хорошим соотношением цена/производительность, результатом чего является общее снижение стоимости конечного продукта за счёт экономии средств на пассивных компонентах схемы.
Приборы с напряжением 650 В специально разработаны для построения полумостовых схем питания, используемых в индукционных печах и микроволновых печах инверторного типа. Они также подходят для устройств, в которых IGBT-транзисторы работают в жестком режиме коммутации.
Достижение наилучшего соотношения цена/производительность для транзисторов семейства RC-H5 обеспечивается благодаря комбинации низкого значения напряжения насыщения VCE(sat) и малой величины остаточной энергии при закрывании транзистора Eoff. RC-H5 обладает на 30% меньшими потерями на переключение, позволяющими разработчикам повышать частоты работы транзисторов. За счёт этого появляется гибкость получения более высоких значений КПД и уменьшение стоимости изделия из-за использования катушек индуктивности малых размеров.
Улучшение тепловых характеристик транзисторов и снижение рассеиваемой мощности при повышенных температур окружающей среды и стрессовых условиях способствует повышению надёжности приборов. Плавное переключение между открытым и закрытым состоянием снижает уровень электромагнитных помех, что ведёт к упрощению фильтрующих элементов схем, а значит и снижению стоимости конечного решения.
| Типовая схема включения IGBT-транзисторов серии RC-H5 |
Отличительные особенности:
- Потери на переключение снижены на 30%
- Очень низкие потери проводимости
- Высокое значение максимально допустимой температуры перехода: TJ = 175°C
- Плавная форма кривой тока при запирании уменьшает уровень электромагнитного излучения
- Высокое напряжение пробоя коллектор-эмиттер V(BR)CES (мин.): 650 В, 1200 В, 1350 В
Область применения:
- Индукционные печи
- Микроволновые печи инверторного типа
- Индукционные нагреватели
- Резонансные преобразователи напряжения
Запросить образцы, средства разработки или техническую поддержку
Веб-страница Infineon по IGBT-транзисторам семейства RC-H5 (англ.)